[發明專利]制造半導體器件的方法

有效

• 申請號: 201210300920.6
• 申請日: 2012-08-22
• 公開（公告）號: CN103311101A
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發明（設計）人: 呂奎亮;謝銘峰;張慶裕
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種制造半導體器件的方法，包括：

在襯底的上方形成第一可圖案化層；

拋光所述第一可圖案化層以使所述第一可圖案化層的表面平坦，其中，所述第一可圖案化層的材料能夠被交聯但是在拋光期間未被交聯；以及

在所述第一可圖案化層的平坦表面的上方沉積第二可圖案化層，其中，所述第一可圖案化層和所述第二可圖案化層具有不同的蝕刻速率。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在所述第二可圖案化層的上方形成經圖案化的光刻膠層；以及

將所述經圖案化的光刻膠層用作掩模實施光刻工藝。

3.根據權利要求2所述的方法，還包括：在形成所述經圖案化的光刻膠層之前，在所述第二可圖案化層的上方形成抗反射層，其中，所述抗反射層和所述第一可圖案化層以及所述第二可圖案化層具有不同的蝕刻速率，并且其中，所述光刻膠層形成在所述抗反射層的上方。

4.根據權利要求1所述的方法，還包括：在所述襯底的上方形成多個部件，其中，所述第一可圖案化層形成在所述多個部件的上方。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，在低于有機層Tg點的溫度下執行低溫沉積所述第二可圖案化層的步驟。

6.一種制造半導體器件的方法，包括：

在襯底的上方形成多個圖案；

在所述襯底的上方形成有機層，所述有機層包含未交聯的材料并且所述有機層形成在所述多個圖案的上方并包圍所述多個圖案；

對所述有機層的所述未交聯的材料實施拋光工藝，所述拋光工藝平坦化所述有機層的表面；

在所述有機層的平坦化的表面的上方沉積膜，其中，所述膜和所述有機層之間存在蝕刻選擇性；以及

在所述膜的上方形成光刻膠層。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，在實施所述拋光工藝之前，不高溫熱處理所述有機層。

8.根據權利要求6所述的方法，還包括：在所述膜和所述光刻膠層之間形成抗反射層，其中，所述抗反射層、所述有機層、和所述膜之間存在蝕刻選擇性。

9.一種制造半導體器件的方法，包括：

在襯底的上方形成多個電路器件；

在所述襯底的上方形成有機層，所述有機層形成在所述多個電路器件的上方；

拋光所述有機層以平坦化所述有機層的表面，其中，在拋光之前，不高溫熱處理所述有機層，并且其中，所述有機材料在拋光期間是未交聯的；

在所述有機層的平坦化的表面的上方沉積膜，其中，在低于約150攝氏度的溫度下并且不采用旋轉涂布工藝實施沉積；以及

在所述膜的上方形成經圖案化的光刻膠層。

10.根據權利要求9所述的方法，還包括：將所述經圖案化的光刻膠層用作掩模實施光刻工藝。