[發明專利]一種電容式觸摸屏架橋結構制作方法

有效

• 申請號: 201210299478.X
• 申請日: 2012-08-21
• 公開（公告）號: CN102855039A
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發明（設計）人: 汪敏潔;蔡漢業;朱景河;何基強
• 申請（專利權）人: 信利半導體有限公司
• 主分類號: G06F3/044
• 分類號: G06F3/044
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，特別是涉及一種電容式觸摸屏架橋結構制作方法。

背景技術

電容式觸摸屏是現有技術中廣泛使用的一種觸摸屏。電容式觸摸屏的電路結構為架橋結構。以投影式電容式觸摸屏為例，其架橋結構為：在交叉點處互不導通的X、Y方向的電路。

現有技術中，電容式觸摸屏架橋結構的制作方法大致包括步驟：a、在納米銦錫金屬氧化物(Indium?Tin?Oxides，ITO)上，制作出X方向的電路；b、在X、Y方向的電路的交叉點處制作絕緣層；c、制作Y方向的電路；d、對電路制作保護層。

對于步驟c，現有技術中，采用正性膠(光刻膠的一種)對電路進行圖案制作。現有技術中，用正性膠進行電路(金屬)圖案的制作的大致流程為：在待刻蝕金屬層表面涂正性膠；用具有鏤空圖案的鉻板遮蓋住正性膠涂層，并曝光；曝光時，由于具有鏤空圖案的鉻板的遮擋，正性膠涂層的部分區域不會受到光的照射；這樣，曝光的區域的正性膠見光溶解，未曝光的區域，正性膠保留下來；然后再對覆蓋有正性膠的金屬層進行刻蝕，只有正性膠溶解了的區域的金屬層才會被刻蝕。

但是現有技術存在如下缺點：因為制作Y方向的電路時，需要刻蝕掉的金屬部分比例很大，所以采用正性膠時，曝光時用到的鉻板，就會有很大一部分是鏤空的。大面積的鏤空的區域會不可避免的存在一些灰塵。而鏤空的區域又是需要曝光的區域。這樣，在曝光時，灰塵等臟污會在曝光區域形成污點。這些污點處的金屬無法被刻蝕掉，進而嚴重影響觸摸屏的性能。

發明內容

本發明的目的是提供一種電容式觸摸屏架橋結構制作方法，能夠避免灰塵等臟污對曝光過程的影響，同時簡化工藝流程。

為實現上述目的，本發明提供了如下方案：

一種電容式觸摸屏架橋結構制作方法，包括：

在納米銦錫金屬氧化物ITO上，制作出在第一方向相互連通的基準圖形陣列，在垂直于所述第一方向的第二方向上，制作出相互隔斷的基準圖形陣列；

在第二方向上的基準圖形陣列的相互隔斷的區域設置絕緣層；

在所述絕緣層上鍍金屬膜；

采用負性光刻膠對所述金屬膜進行光刻；

對光刻后的所述金屬膜進行蝕刻，以便在第二方向將所述基準圖形陣列連通。

優選的，所述采用負性光刻膠對所述金屬膜進行光刻，包括：

在待蝕刻金屬層上涂負性光刻膠；

在掩模板的遮擋下，對負性光刻膠涂層進行曝光；

將負性光刻膠涂層上的未曝光的可溶解區域用化學顯影劑溶解；

對曝光后的未溶解的負性光刻膠涂層進行主固化。

優選的，在所述在待蝕刻金屬層上涂負性膠之前，還包括：

清洗上一工序殘留的光刻膠。

優選的，所述基準圖形陣列為菱形陣列。

優選的，所述負性光刻膠具體為OC膠。

優選的，在所述基準圖形陣列的第二方向上的相互隔斷的區域設置絕緣層，包括：

通過在所述基準圖形陣列的第二方向上的相互隔斷的區域涂抹負性光刻膠，將曝光后固化的所述負性光刻膠，作為絕緣層。

優選的，在所述基準圖形陣列的第二方向上的相互隔斷的區域涂抹的負性光刻膠為OC膠。

優選的，在所述絕緣層上鍍金屬膜具體為：在所述絕緣層上鍍包含鉬鋁鉬成分的金屬膜。

根據本發明提供的具體實施例，本發明公開了以下技術效果：

本實施例所公開的電容式觸摸屏架橋結構制作方法，由于采用負性光刻膠對金屬膜進行第二方向上的光刻，使得掩模板的鏤空區域很小，灰塵等臟污很難進入，能夠有效避免灰塵等臟污對曝光過程的影響。

此外，由于本發明中，光刻后殘留的負性光刻膠，還可以作為對金屬條形區域起保護作用的保護層。因此，本發明所公開的方法還省去了現有技術中，對電路制作保護層這一工序。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發明實施例所述電容式觸摸屏架橋結構制作方法流程圖；

圖2為本實施例所公開的水平方向相互連通、豎直方向相互隔斷的菱形陣列示意圖；

圖3為本發明實施例所公開的豎直方向連通后的菱形陣列示意圖。

具體實施方式