[發明專利]電解電容器及其制造方法有效
| 申請號： | 201210297393.8 | 申請日： | 2008-03-20 |
| 公開（公告）號： | CN103093962B | 公開（公告）日： | 2017-04-26 |
| 發明（設計）人： | S·布賴特豪普特;N·科亨;A·艾德爾曼;R·卡特拉奧 | 申請（專利權）人： | 維莎斯普拉格公司 |
| 主分類號： | H01G9/042 | 分類號： | H01G9/042 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司72002 | 代理人： | 張偉,王英 |
| 地址： | 美國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電解電容器 及其 制造 方法 | ||
1.一種電解電容器，包括：
金屬殼；
設置于所述金屬殼內的多孔片狀陽極；
設置于所述金屬殼內的電解質；以及
沉積于所述金屬殼上的陰極元件，所述陰極元件由在所述金屬殼上的電泳沉積的單個均勻層形成，所述電泳沉積的單個均勻層僅由鉭粉末構成，其中所述陰極元件具有大于0.01西門子/cm的電導率。
2.一種電解電容器，包括：
金屬殼；
設置于所述金屬殼內的多孔片狀陽極；
設置于所述金屬殼內的電解質；以及
沉積在金屬殼上的陰極元件；
所述陰極元件包括電泳沉積的單個均勻層，所述電泳沉積的單個均勻層僅由鉭粉末構成，其中所述陰極元件的厚度小于10mil(254μm)。
3.如權利要求1所述的電解電容器，其中，所述陰極元件的厚度小于10mil(254μm)。
4.如權利要求2所述的電解電容器，其中，所述陰極元件具有大于0.01西門子/cm的電導率。
5.一種制造電解電容器的方法，包括：
提供金屬殼；
在所述金屬殼上電泳沉積單個均勻層以形成陰極元件，所述單個均勻層僅由鉭粉末構成，其中所述陰極元件具有大于0.01西門子/cm的電導率，其中所述陰極元件的厚度小于10mil(254μm)；
將多孔片狀陽極和電解質放置在所述殼內，使得所述陰極元件和所述陽極元件由所述電解質分開。
6.一種電解電容器，包括：
具有第一側和相對的第二側的基底；
第一陰極元件，所述第一陰極元件由在所述基底的所述第一側上以形成陰極元件的電泳沉積的單個均勻層形成，所述電泳沉積的單個均勻層僅由鉭粉末構成，其中所述陰極元件具有大于0.01西門子/cm的電導率，其中所述陰極元件的厚度小于10mil(254μm)；
鄰近所述陰極元件設置的陽極；
所述陽極和所述陰極元件之間的電解質。
7.如權利要求6所述的電解電容器，還包括位于所述基底的所述第二側的第二陰極元件，所述第二陰極元件由電泳沉積的單個均勻層形成，所述電泳沉積的單個均勻層僅由鉭粉末構成，其中所述第二陰極元件具有大于0.01西門子/cm的電導率，其中所述陰極元件的厚度小于10mil(254μm)。
8.如權利要求6所述的電解電容器，其中，所述基底是預先形成的金屬罐子。
9.一種電解電容器，包括金屬殼和電泳沉積在所述金屬殼上的陰極元件，所述陰極元件為僅由鉭粉末構成的單個均勻層，其中所述陰極元件具有大于0.01西門子/cm的電導率，其中所述陰極元件的厚度小于10mil(254μm)。
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