[發明專利]電容結構

有效

• 申請號: 201210295005.2
• 申請日: 2008-09-09
• 公開（公告）號: CN102832194A
• 公開（公告）日: 2012-12-19
• 發明（設計）人: 楊明宗
• 申請（專利權）人: 聯發科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522
• 代理公司: 北京萬慧達知識產權代理有限公司 11111
• 代理人: 于淼;楊穎

技術領域

本發明有關于一種半導體裝置結構，特別是有關于一種電容結構。

背景技術

電容是集成電路裝置中的關鍵組件。隨著裝置尺寸向下微縮與電路密度的增加，制作出維持相當電容量且可有效縮減占用集成電路面積的電容組件愈顯重要。目前，多晶硅(polysilicon)電容與金屬-氧化物-金屬(metal-oxide-metal,MOM)電容已被業界所使用，其中MOM電容因擁有低電容漏失的優點而較獲青睞。

圖1為現有MOM電容結構?，F有的MOM電容結構包括多個平行金屬線2，設置于基底1上。偶數金屬線2′彼此連接，形成梳狀結構3。奇數金屬線2″也彼此連接形成另一個梳狀結構4。此外，另一個金屬線5圍繞金屬線2，以屏蔽基底電荷。

發明內容

為了解決現有技術中寄生電容的干擾，本發明提供一種新的電容結構，來降低干擾。

本發明的一個實施方式，提供一種電容結構，包括：多個第一導線，平行設置于基底上的導電層中，上述第一導線彼此分離，且分為第一電極群組與第二電極群組，第一電極群組的第一導線與上述第二電極群組的第一導線是交替設置的；絕緣層，形成于上述多個第一導線上并填入上述多個第一導線間的區域；第二導線，形成于上述絕緣層上并電性連接于上述第一電極群組的第一導線；第三導線，形成于上述絕緣層上并電性連接于上述第二電極群組的第一導線，以及第一過孔結構，形成于絕緣層中，包括多個過孔插栓，第一過孔結構對應多個第一導線其中之一。

本發明的另一個實施方式，提供另一種電容結構，包括：多個第一導線，平行設置于基底上的導電層中，上述多個第一導線彼此分離且分為第一電極群組與第二電極群組，第一電極群組的第一導線與上述第二電極群組的第一導線是交替設置的；第二導線，設置于上述導電層中，以第一方向延伸，電性連接于上述第一電極群組的第一導線，同時以第二方向延伸，與第一電極群組的第一導線的另一端距離特定的距離；絕緣層，形成于上述多個第一導線與上述第二導線上并填入上述多個第一導線間的區域；第三導線，形成于上述絕緣層上并電性連接于上述第二電極群組的第一導線以及第四導線，形成于絕緣層上并電性連接于第一電極群組的第一導線，以及第一過孔結構，形成于絕緣層中，包括多個過孔插栓，第一過孔結構對應多個第一導線其中之一。

本發明的電容結構能具有更小的電容干擾，保證更穩定的工作。

附圖說明

圖1為現有MOM電容結構的上視圖。

圖2A為本發明的MOM電容結構之第一實施方式的上視圖。

圖2B為沿圖2A的2B-2B剖面線所得的MOM電容結構剖面示意圖。

圖2C為沿圖2A的2B’-2B’剖面線所得的MOM電容結構剖面示意圖。

圖3~4為本發明的過孔結構的實施方式的上視圖。

圖5A為本發明的MOM電容結構的第二實施方式的上視圖。

圖5B為沿圖5A的5B-5B剖面線所得的MOM電容結構剖面示意圖。

圖6為本發明MOM電容結構的第三實施方式的上視圖。

具體實施方式

在說明書及權利要求書當中使用了某些詞匯來稱呼特定的元件。本領域的技術人員應可理解，硬件制造商可能會用不同的名詞來稱呼同一個元件。本說明書及權利要求書并不以名稱的差異來作為區分元件的方式，而是以元件在功能上的差異來作為區分的準則。在通篇說明書及權利要求書當中所提及的“包含”是開放式的用語，故應解釋成“包含但不限定于”。此外，“耦接”一詞在此是包含任何直接及間接的電氣連接手段。因此，若文中描述第一裝置耦接于第二裝置，則代表第一裝置可直接電氣連接于第二裝置，或通過其它裝置或連接手段間接地電氣連接到第二裝置。

為讓本發明的上述目的、特征及優點能更明顯易懂，下文特舉一較佳實施方式，并配合所附圖示，作詳細說明如下：

本發明的一個實施方式，提供一種電容結構，包括多個分離的第一金屬線，平行設置于基底上；絕緣層(例如氧化層)，形成于第一金屬線上并填入第一金屬線間的區域，第二金屬線，形成于絕緣層上并電性連接于奇數的第一金屬線(第一電極群組)，第三金屬線，形成于絕緣層上并電性連接于偶數的第一金屬線(第二電極群組)。