[發明專利]電容結構有效
| 申請號: | 201210295005.2 | 申請日: | 2008-09-09 |
| 公開(公告)號: | CN102832194A | 公開(公告)日: | 2012-12-19 |
| 發明(設計)人: | 楊明宗 | 申請(專利權)人: | 聯發科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/522 | 分類號: | H01L23/522 |
| 代理公司: | 北京萬慧達知識產權代理有限公司 11111 | 代理人: | 于淼;楊穎 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電容 結構 | ||
1.一種電容結構,包括:
多個第一導線,平行設置于基底的導電層中,上述多個第一導線彼此分離且分為第一電極群組與第二電極群組,上述第一電極群組的第一導線與上述第二電極群組的第一導線是交替設置的;
絕緣層,形成于上述多個第一導線上并填入上述多個第一導線間的區域;
第二導線,形成于上述絕緣層上并電性連接于上述第一電極群組的第一導線;
第三導線,形成于上述絕緣層上并電性連接于上述第二電極群組的第一導線;以及
第一過孔結構,形成于上述絕緣層中,包括多個過孔插栓,上述第一過孔結構對應上述多個第一導線其中之一。
2.如權利要求1所述的電容結構,其特征在于,還包括第二過孔結構,上述第二過孔結構包括多個過孔插栓,上述第二過孔結構對應上述多個第一導線其中之另一。
3.如權利要求2所述的電容結構,其特征在于,上述第二過孔結構的尺寸不同于上述第一過孔結構的尺寸。
4.如權利要求2所述的電容結構,其特征在于,上述第一過孔結構或上述第二過孔結構是2倍間距過孔或是4倍間距過孔。
5.如權利要求1所述的電容結構,其特征在于,更包括第四導線,設置于上述導電層中,圍繞上述多個第一導線。
6.如權利要求5所述的電容結構,其特征在于,上述第四導線電性連接于上述基底。
7.如權利要求1所述的電容結構,其特征在于,更包括導電屏蔽層,形成于上述導電層與上述基底之間。
8.如權利要求7所述的電容結構,其特征在于,上述導電屏蔽層電性連接于上述第一電極群組與上述第二電極群組其中之一。
9.一種電容結構,包括:
多個第一導線,平行設置于基底上的導電層中,上述多個第一導線在上述導電層中彼此分離且分為第一電極群組與第二電極群組,上述第一電極群組的第一導線與上述第二電極群組的第一導線是交替設置的;
第二導線,設置于上述導電層中,以第一方向延伸,電性連接于上述第一電極群組的第一導線,同時以第二方向延伸,與第一電極群組的第一導線的另一端距離特定的距離;
絕緣層,形成于上述多個第一導線與上述第二導線上并填入上述多個第一導線間的區域;
第三導線,形成于上述絕緣層上并電性連接于上述第二電極群組的第一導線;
第四導線,形成于上述絕緣層上并電性連接于上述第一電極群組的第一導線;以及
第一過孔結構,形成于上述絕緣層中,包括多個過孔插栓,上述第一過孔結構對應上述多個第一導線其中之一。
10.如權利要求9所述的電容結構,其特征在于,還包括第二過孔結構,上述第二過孔結構包括多個過孔插栓,上述第二過孔結構對應上述多個第一導線其中之另一。
11.如權利要求10所述的電容結構,其特征在于,上述第二過孔結構的尺寸不同于比上述第一過孔結構的尺寸。
12.如權利要求11所述的電容結構,其特征在于,上述第一過孔結構或上述第二過孔結構是2倍間距過孔或是4倍間距過孔。
13.如權利要求9所述的電容結構,其特征在于,更包括第五導線,設置于上述導電層中,圍繞上述多個第一導線。
14.如權利要求13所述的電容結構,其特征在于,上述第五導線電性連接于上述基底。
15.如權利要求9所述的電容結構,其特征在于,更包括導電屏蔽層,形成于上述導電層與上述基底之間。
16.如權利要求15所述的電容結構,其特征在于,上述導電屏蔽層是電性連接于上述第一電極群組與上述第二電極群組其中之一。
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