[發明專利]半導體裝置及其制造方法、固體攝像裝置及其制造方法以及電子單元

無效

• 申請號: 201210294922.9
• 申請日: 2012-08-17
• 公開（公告）號: CN102956657A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發明（設計）人: 坂直樹
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H04N5/374
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 褚海英;武玉琴

1.一種固體攝像裝置，其包括：

基板；

元件形成區，其形成于所述基板的前表面上；

元件隔離部，其將形成于所述基板上的各像素隔離，每個元件隔離部形成有從所述基板的前表面延伸至期望深度的溝槽以及埋入所述溝槽中的由絕緣材料制成的埋入膜；

光電轉換元件，其形成于所述元件形成區中，所述光電轉換元件根據入射光量生成信號電荷；以及

埋入溝道型MOS晶體管，其形成于由所述元件隔離部而與所述光電轉換元件隔離的區域中，所述埋入溝道型MOS晶體管包括：

源極區和漏極區，它們形成于所述元件形成區的期望區域中，所述源極區和漏極區各為導電型與所述元件形成區的導電型相反的雜質區；

溝道區，其具有第一雜質擴散區和第二雜質擴散區，每個第一雜質擴散區為導電型與所述元件形成區的導電型相反的雜質區，并且形成于在所述源極區與所述漏極區之間與一個元件隔離部相鄰接的一側的區域中，所述第二雜質擴散區為與所述第一雜質擴散區具有相同導電型的雜質區，并且形成于所述源極區與所述漏極區之間的整個區域中；以及

柵極，其在所述基板上方形成于所述溝道區上，在所述柵極和所述溝道區之間設有柵極絕緣膜。

2.如權利要求1所述的固體攝像裝置，其中，所述埋入溝道型MOS晶體管構成放大晶體管。

3.如權利要求1或2所述的固體攝像裝置，其中，所述各第一雜質擴散區和所述第二雜質擴散區形成于所述基板中的基本同一深度處。

4.一種固體攝像裝置的制造方法，該方法包括：

形成從基板前表面延伸至期望深度的溝槽；

通過以傾角進行離子注入而注入指定雜質以形成變為埋入溝道型MOS晶體管的溝道區的部分的第一雜質擴散區，每個第一雜質擴散區形成于一個溝槽的面向所述溝道區的側壁上；

在每個溝槽中形成由絕緣材料制成的埋入膜；

在變成所述溝道區的整個區域上，通過離子注入而注入與所述第一雜質擴散區具有相同導電型的雜質以形成第二雜質擴散區；

在所述基板上方的所述溝道區上隔著柵極絕緣膜以形成柵極；

通過離子注入，將與構成所述溝道區的所述各第一雜質擴散區和第二雜質擴散區具有相同導電型的雜質注入至所述柵極下方的基板區中，以形成源極區和漏極區；并且

在所述柵極形成前或形成后，通過離子注入而注入與所述第一雜質擴散區具有相同導電型的雜質，以形成根據入射光量而生成信號電荷的光電轉換部。

5.如權利要求4所述的固體攝像裝置的制造方法，其中，所述埋入溝道型MOS晶體管構成放大晶體管。

6.如權利要求4或5所述的固體攝像裝置的制造方法，其中，所述第一雜質擴散區和所述第二雜質擴散區形成于所述基板中的基本同一深度處。

7.一種半導體裝置，其包括：

基板；

元件隔離部，它們將形成于所述基板上的各像素隔離，每個元件隔離部形成有從所述基板的前表面延伸至期望深度的溝槽以及埋入所述溝槽中的由絕緣材料制成的埋入膜；

元件形成區，其形成于所述基板的前表面上；以及

埋入溝道型MOS晶體管，其包括：

源極區和漏極區，它們形成于所述元件形成區的期望區域中，所述源極區和漏極區各為導電型與所述元件形成區的導電型相反的雜質區；

溝道區，其具有第一雜質擴散區和第二雜質擴散區，每個第一雜質擴散區為導電型與所述元件形成區的導電型相反的雜質區，并且形成于在所述源極區與所述漏極區之間與一個元件隔離部相鄰接的一側的區域中，所述第二雜質擴散區為與所述第一雜質擴散區具有相同導電型的雜質區，并且形成于所述源極區與所述漏極區之間的整個區域中；以及

柵極，其形成于所述基板上方的所述溝道區上，在所述柵極和所述溝道區之間設有柵極絕緣膜。

8.如權利要求7所述的半導體裝置，其中，所述各第一雜質擴散區和所述第二雜質擴散區形成于所述基板中的基本同一深度處。