[發明專利]圖像傳感器、成像裝置和活體成像裝置有效
| 申請號: | 201210294805.2 | 申請日: | 2012-08-17 |
| 公開(公告)號: | CN102956655A | 公開(公告)日: | 2013-03-06 |
| 發明(設計)人: | 中田征志 | 申請(專利權)人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H04N5/335 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 張貴東 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 圖像傳感器 成像 裝置 活體 | ||
1.一種圖像傳感器,包括:
像素單元,
所述像素單元包括
光電二極管,
第一濾色鏡和第二濾色鏡,其每個布置在所述光電二極管上方的平面上的不同位置,以及
布置在所述第一濾色鏡上的第一芯片上透鏡和布置在所述第二濾色鏡上的第二芯片上透鏡。
2.根據權利要求1所述的圖像傳感器,其中,
所述第一濾色鏡和第二濾色鏡的每個具有相互不同的光譜特性。
3.根據權利要求2所述的圖像傳感器,其中,
所述像素單元輸出對應于所述第一濾色鏡和第二濾色鏡的光譜特性的合成結果的電平的電信號。
4.根據權利要求2所述的圖像傳感器,其中,
所述光電二極管包括布置在所述第一濾色鏡下的第一光電二極管和布置在所述第二濾色鏡下的第二光電二極管,以及
將從像素單元輸出的、具有對應于所述第一濾色鏡和第二濾色鏡的各自光譜特性的電平的電信號相加。
5.根據權利要求4所述的圖像傳感器,其中,
所述像素單元還包括共同浮置擴散,其將從所述第一光電二極管和第二光電二極管的每個輸出的電信號相加。
6.根據權利要求4所述的圖像傳感器,其中,
從所述第一光電二極管和第二光電二極管輸出的電信號的每個通過單獨的預設增益放大。
7.根據權利要求4所述的圖像傳感器,其中,
所述第一光電二極管和第二光電二極管的每個單獨地預設有電荷累積時間。
8.根據權利要求2所述的圖像傳感器,其中,
所述第一濾色鏡和第二濾色鏡的每個具有透射紅外光的特性。
9.根據權利要求2所述的圖像傳感器,其中,
所述像素單元包括
濾色鏡組,其包括除了所述第一濾色鏡和第二濾色鏡以外的一個或多個濾色鏡,以及
芯片上透鏡組,其包括除了所述第一芯片上透鏡和第二芯片上透鏡外的一個或多個芯片上透鏡,所述一個或多個芯片上透鏡布置在所述除了所述第一濾色鏡和第二濾色鏡以外的一個或多個濾色鏡上。
10.根據權利要求9所述的圖像傳感器,其中,
所述像素單元輸出對應于所述濾色鏡組的各自的光譜特性的合成結果的電平的電信號。
11.根據權利要求9所述的圖像傳感器,其中,
所述光電二極管由每個布置在所述濾色鏡組下的光電二極管組構成,以及
將從像素單元輸出的、每個具有對應于所述濾色鏡組的光譜特性的電平的電信號相加。
12.根據權利要求11所述的圖像傳感器,其中,
所述像素單元還包括共同浮置擴散,其將從所述光電二極管組輸出的每個電信號相加。
13.根據權利要求11所述的圖像傳感器,其中,
從所述光電二極管組輸出的電信號的每個通過單獨的預設增益放大。
14.根據權利要求11所述的圖像傳感器,其中,
每個光電二極管組單獨地預設有電荷累積時間。
15.根據權利要求10所述的圖像傳感器,其中,
所述濾色鏡組的每個具有透射紅外光的特性。
16.根據權利要求1所述的圖像傳感器,其中,
在所述光電二極管的上方形成波導。
17.根據權利要求1所述的圖像傳感器,其中,
所述光電二極管具有多個輸出模式,其通過所述圖像傳感器的內部或外部控制可選擇性地切換。
18.一種成像裝置,安裝有包括像素單元的圖像傳感器,
所述像素單元包括
光電二極管,
第一濾色鏡和第二濾色鏡,其每個布置在所述光電二極管上方的平面上的不同位置,以及
布置在所述第一濾色鏡上的第一芯片上透鏡和布置在所述第二濾色鏡上的第二芯片上透鏡。
19.一種活體成像裝置,包括安裝有包括像素單元的圖像傳感器的成像裝置,
所述像素單元包括
光電二極管,
第一濾色鏡和第二濾色鏡,其每個布置在所述光電二極管上方的平面上的不同位置,以及
布置在所述第一濾色鏡上的第一芯片上透鏡和布置在所述第二濾色鏡上的第二芯片上透鏡,
其中,所述成像裝置獲取作為目標的活體的圖像。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于索尼公司,未經索尼公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210294805.2/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





