[發明專利]一種矯正多晶硅塊尺寸的粘接方法有效
| 申請號: | 201210293296.1 | 申請日: | 2012-08-16 |
| 公開(公告)號: | CN102825666A | 公開(公告)日: | 2012-12-19 |
| 發明(設計)人: | 田歡 | 申請(專利權)人: | 保定天威英利新能源有限公司 |
| 主分類號: | B28D5/00 | 分類號: | B28D5/00 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 魏曉波 |
| 地址: | 071051 河北*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 矯正 多晶 尺寸 方法 | ||
技術領域
本發明涉及太陽能多晶硅片切割技術領域,特別涉及一種矯正多晶硅塊尺寸的粘接方法。
背景技術
目前,整個太陽能多晶硅電池制造行業正處在降低成本,革新各環節加工技術以提高產品競爭力的時期,其中多晶硅片切割領域一直是降低成本的重頭戲。在該制造環節的幾個主要工藝加工過程為:先由開方設備通過多線切割把整個硅錠加工成若干個端面為正方形的長方體硅塊,然后再由研磨設備把硅塊表面逐個研磨拋光,最后是粘接工序把加工好的硅塊定位粘接在特定托盤上,待膠干后上多線切割機進行切片加工。
正是在硅錠開方和硅塊研磨的實際生產環節,偶爾會出現由于多線切割過程中漿料斷流或者鋼線跳槽,或是在硅塊研磨環節,由于操作失誤致使單側研磨量過大所引起的硅塊尺寸加工不合格(實際尺寸小于標準尺寸)的事故。這類加工異常發生頻率并不高,但是一旦發生所造成的硅塊損失就很嚴重。分析這類硅塊的特點,它們無外乎下面這三種情況:
如圖1所示,待切割的硅塊均為方形,其截面尺寸包括A和B;第一種情況是A和B的雙側尺寸都小于標準;第二種是A或B單側尺寸全部小于標準;第三種是A或B單側尺寸部分小于標準;而第一種情況出現的幾率非常低,因為在線切割過程中很少有相交的兩條鋼線同時出現異常的情況,而另外兩種情況則較為普遍。
目前,針對這類由于硅塊加工異常造成尺寸小于標準要求的不合格硅塊,只能采取報廢處理,計入硅塊損失,而這些不合格硅塊只能作為回收硅料重新被用于鑄造新硅錠。這顯然是一種巨大的浪費,由于硅塊除了尺寸異常之外并沒有其它任何缺陷,完全可以用于制造硅片,直接報廢處理必然帶來制造成本的升高。
因此,如何解決在硅塊加工環節出現的因加工異常所致硅塊損失的問題,成為本領域技術人員亟待解決的重要技術問題。
發明內容
有鑒于此,本發明提供了一種矯正多晶硅塊尺寸的粘接方法,避免了單側尺寸不合格硅塊直接被報廢處理的浪費,大大減少了加工硅塊損失量,從而降低了硅片制造成本。
為實現上述目的,本發明提供如下技術方案:
一種矯正多晶硅塊尺寸的粘接方法,用于對實際尺寸小于標準尺寸的硅塊進行再加工,取硅塊單側的標準尺寸為C,包括步驟:
1)測量得到不合格硅塊的具體尺寸,包括所述硅塊的實際長度L和不合格側的實際尺寸D;
2)在所述硅塊單側部分尺寸不合格的情況下,加工至該尺寸不合格側的實際尺寸完全統一;否則,直接進入步驟3);
3)將所述硅塊的實際尺寸不合格的一側朝上,且所述硅塊中軸線與所述玻璃板中軸線相交,粘接到所述玻璃板上。
優選的,取所述硅塊中軸線與所述玻璃板中軸線間的夾角為b,b=arccos(D/C)。
優選的,取用于粘接所述硅塊的玻璃板的寬度為E,合格的硅塊正常定位粘接時其頂面對角線與所述玻璃板中軸線的夾角為a,所述不合格硅塊定位粘接時探出角距所述玻璃板側邊的間距為X,則
其中,a=arctg(D/L),b=arccos(D/C)。
優選的,在所述步驟2)中,使用研磨機加工硅塊至該尺寸不合格側的實際尺寸完全統一。
從上述的技術方案可以看出,本發明提供的矯正多晶硅塊尺寸的粘接方法,充分利用硅塊被加工成硅片之前在多線切割機內同線網的定位關系特點和直角三角形基本原理,通過調整硅塊的定位粘接方向,從而得到單個硅片被拉長的效果,在不影響切割質量的前提下矯正了單側尺寸不合格硅塊的缺陷,這樣就避免了此類尺寸不合格硅塊直接被報廢處理的浪費,大大減少了加工硅塊損失量,從而降低了硅片制造成本。
附圖說明
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