[發(fā)明專利]載鎖腔及使用該載鎖腔處理基板的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210292475.3 | 申請(qǐng)日: | 2012-08-16 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103594401B | 公開(公告)日: | 2018-05-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王堅(jiān);何增華;方志友;賈照偉;王暉 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 盛美半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/673 | 分類號(hào): | H01L21/673 |
| 代理公司: | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人: | 陸勍 |
| 地址: | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 載鎖腔 使用 處理 方法 | ||
1.一種可以處理多片基板的載鎖腔,其特征在于,包括:
腔室,所述腔室具有第一真空閥門和第二真空閥門;
夾盤,所述夾盤具有收容于所述腔室的夾座,所述夾座用于放置基板,所述夾座的外邊緣設(shè)有至少兩個(gè)凹槽,所述夾盤還進(jìn)一步包括支桿,所述支桿的一端與所述夾座的中部連接,所述支桿的另一端穿出所述腔室,一馬達(dá)配置在所述支桿的另一端,用于升高或降低所述夾盤;
支撐架,所述支撐架收容于所述腔室并位于所述夾座的上方,所述支撐架具有至少兩個(gè)連接部,每個(gè)連接部向所述支撐架的軸心方向水平凸伸出數(shù)個(gè)支撐臺(tái),每一支撐臺(tái)具有一承載部,所述承載部位于所述夾座的凹槽內(nèi),各連接部上同一層的承載部與所述夾座平行并能托住一片基板,在處理多片基板時(shí)通過支撐架使基板位于夾座上方并與夾座保持一定距離;及
至少一升降機(jī)構(gòu),用于升高或降低所述支撐架的連接部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的載鎖腔,其特征在于:每一支撐臺(tái)還進(jìn)一步包括與所述連接部垂直相連的基部,所述基部向下傾斜形成一引導(dǎo)部后再向所述支撐架的軸心方向水平延伸形成所述承載部。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的載鎖腔,其特征在于:每一支撐臺(tái)還進(jìn)一步包括一限位部,所述限位部的頂端連接所述引導(dǎo)部,所述限位部的底端連接所述承載部。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的載鎖腔,其特征在于:所述支撐架還進(jìn)一步包括一基體,所述連接部分別與所述基體相連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的載鎖腔,其特征在于:所述升降機(jī)構(gòu)設(shè)置在所述腔室的外部,并且與所述基體相連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的載鎖腔,進(jìn)一步包括設(shè)置于所述夾盤內(nèi)的加熱裝置。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的載鎖腔,進(jìn)一步包括設(shè)置于所述夾盤內(nèi)的冷卻裝置。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的載鎖腔,進(jìn)一步包括設(shè)置于所述夾盤內(nèi)的溫度傳感器。
9.一種使用權(quán)利要求1所述的載鎖腔處理基板的方法,包括:
a)向腔室內(nèi)注入惰性氣體直至腔室內(nèi)的壓強(qiáng)與外界大氣壓一致;
b)打開第一真空閥門,并將數(shù)片基板放置在承載部上;
c)關(guān)閉第一真空閥門,并將腔室抽真空;
d)降低支撐架,使最下層的承載部上的基板位于夾座的上方并與夾座保持一定距離或者使最下層的承載部上的基板放在夾座上進(jìn)行處理;
e)升高支撐架,已被處理的基板由最下層的承載部托住;
f)打開第二真空閥門,并將已被處理的基板從腔室中取走;
g)重復(fù)上述步驟d)~f)直到承載部上的基板都被處理并從腔室中取走。
10.一種使用權(quán)利要求1所述的載鎖腔處理基板的方法,包括:
a)將腔室抽真空;
b)打開第二真空閥門,并將一片基板放置在頂層的承載部上;
c)降低支撐架,使頂層的承載部上的基板放在夾座上進(jìn)行處理;
d)升高支撐架,已被處理的基板由頂層的承載部托住;
e)重復(fù)上述步驟b)~d)直到所有層的承載部都有托住已被處理的基板;
f)關(guān)閉第二真空閥門,并向腔室內(nèi)注入惰性氣體直至腔室內(nèi)的壓強(qiáng)與外界大氣壓一致;
g)打開第一真空閥門,并將已被處理的基板從腔室中取走。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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