[發明專利]一種半導體器件的形成方法

有效

• 申請號: 201210291312.3
• 申請日: 2012-08-16
• 公開（公告）號: CN103594346B
• 公開（公告）日: 2017-04-05
• 發明（設計）人: 鮑宇
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/336
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所11336
• 代理人: 董巍,高偉

1.一種半導體器件的形成方法，包括步驟：

a)提供半導體襯底；

b)在所述襯底上依次形成柵極介電層、多晶硅層和第一硬掩膜層；

c)圖案化柵極區域的所述第一硬掩膜層，并暴露柵極區域的所述多晶硅層；

d)對所述柵極區域的多晶硅層執行一次或多次功函數調整離子注入；

e)在所述柵極區域的多晶硅層上形成第二硬掩膜層；

f)依次去除所述第一硬掩膜層、柵極區域以外的所述多晶硅層和所述第二硬掩膜層，形成具有橫向可變的功函數的柵極；

g)執行形成源極和漏極的步驟。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述功函數調整離子的注入劑量為10E10-10E20離子/cm2。

3.根據權利要求1所述的方法，其中使用第III族或第V族元素離子作為所述功函數調整離子。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述步驟d)為：以所述圖案化了的第一硬掩膜層為掩膜執行所述功函數調整離子注入。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述步驟d)為：在所述柵極區域的多晶硅層上和所述第一硬掩膜層的內側側壁的一側上形成間隙壁；以所述第一硬掩膜層和所述一側的間隙壁為掩膜執行所述功函數調整離子注入。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述步驟d)為：在所述柵極區域的多晶硅層上和所述第一硬掩膜層的內側側壁的兩側上形成間隙壁；以所述第一硬掩膜層和所述兩側的間隙壁為掩膜執行所述功函數調整離子注入。

7.根據權利要求5或6所述的方法，其中所述步驟f)還包括在去除所述柵極區域以外的多晶硅層后去除所述間隙壁的步驟。

8.根據權利要求1所述的方法，其中步驟b)中所述形成的第一硬掩膜層具有大于100埃的厚度。

9.根據權利要求1所述的方法，還包括在步驟g)之前形成LDD的步驟。

10.根據權利要求1所述的方法，其中所述半導體器件是MOSFET。

11.根據權利5所述的方法，其中所述柵極具有橫向可變且不對稱的功函數。

12.根據權利要求5或6所述的方法，其中還包括在所述間隙壁上多次重復形成間隙壁以及進行功函數調整離子注入的步驟。