[發明專利]一種軟磁磁芯螺旋微電感的制作方法有效
| 申請號: | 201210290483.4 | 申請日: | 2012-08-16 |
| 公開(公告)號: | CN102789967A | 公開(公告)日: | 2012-11-21 |
| 發明(設計)人: | 孔岑;周建軍;李輝;陳效建 | 申請(專利權)人: | 中國電子科技集團公司第五十五研究所 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01F37/00;H01F41/00 |
| 代理公司: | 南京君陶專利商標代理有限公司 32215 | 代理人: | 沈根水;周曉梅 |
| 地址: | 210016 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 軟磁磁芯 螺旋 電感 制作方法 | ||
1.一種軟磁磁芯螺旋微電感的制作方法,其特征在于集成NiFe-AlOx軟磁磁芯螺旋電感,包括如下工藝步驟:
1)制備電感下層金屬;
2)制備第一層苯并環丁烯BCB介質層;
3)制備NiFe-AlOx薄膜;
4)制備第二層苯并環丁烯BCB介質層;
5)制備苯并環丁烯BCB介質通孔;
6)制備電感上層金屬。
2.如權利要求1所述的軟磁磁芯螺旋微電感的制作方法,其特征是工藝步驟1)?制備電感下層金屬:使用去離子水將基片清洗干凈,使用濺射工藝在基片上淀積電鍍種子層,使用光刻工藝勻膠、曝光、顯影,得到下層電鍍金屬圖形,使用電鍍工藝電鍍金屬,使用濕法刻蝕去除剩余的種子層金屬,使用泛曝光、顯影去除剩余光刻膠,得到螺旋電感下層金屬。
3.如權利要求1所述的軟磁磁芯螺旋微電感的制作方法,其特征是工藝步驟2)?制備第一層苯并環丁烯BCB介質層:使用勻膠工藝旋涂苯并環丁烯BCB介質,使用常規退火工藝固化苯并環丁烯BCB介質,具體為:在N2氣氛中,由室溫升溫到270℃,升溫速率約為1~2℃/min,在270℃時保溫40~60分鐘,然后緩慢降溫至室溫,降溫速率約為1~2℃/min。
4.如權利要求1所述的軟磁磁芯螺旋微電感的制作方法,其特征是工藝步驟3)?制備NiFe-AlOx薄膜:使用光刻工藝勻膠、曝光、顯影,得到磁芯圖形,使用濺射工藝淀積NiFe-AlOx磁性薄膜,具體為:使用的靶材為Ni含量為60%的NiFe合金及純度為98%的Al2O3,濺射條件為:濺射前腔體真空小于1×10-3Pa;濺射在Ar氣體中進行,Ar氣壓力PAr為0.7~1Pa;NiFe使用直流功率源,濺射功率為25~50W;Al2O3使用射頻功率源,濺射功率為70~130W,NiFe與Al2O3交替濺射,得到Al2O3/NiFe/?Al2O3/NiFe/Al2O3/NiFe/?Al2O3/NiFe/?Al2O3結構的磁性薄膜,薄膜總厚度為385~425nm,使用剝離工藝,得到圖形化的NiFe-AlOx磁性薄膜。
5.如權利要求1所述的軟磁磁芯螺旋微電感的制作方法,其特征是工藝步驟4)?制備第二層苯并環丁烯BCB介質層:使用勻膠工藝旋涂苯并環丁烯BCB介質,使用常規退火工藝固化苯并環丁烯BCB,具體為:在N2氣氛中,由室溫升溫到270℃,升溫速率約為1~2℃/min,在270℃時保溫40~60分鐘,然后緩慢降溫至室溫,降溫速率約為1~2℃/min。
6.如權利要求1所述的軟磁磁芯螺旋微電感的制作方法,其特征是工藝步驟5)?制備苯并環丁烯BCB通孔:使用光刻工藝勻膠、曝光、顯影,得到苯并環丁烯BCB介質通孔圖形,使用電感耦合等離子ICP刻蝕技術刻蝕苯并環丁烯BCB,使用丙酮、乙醇去除剩余光刻膠。
7.如權利要求1所述的軟磁磁芯螺旋微電感的制作方法,其特征是工藝步驟6)?制備電感上層金屬:使用濺射工藝在基片上淀積電鍍種子層,使用光刻工藝勻膠、曝光、顯影,得到下層電鍍金屬圖形,使用電鍍工藝電鍍金屬,使用泛曝光、顯影去除剩余光刻膠,使用濕法刻蝕去除剩余的種子層金屬,得到螺旋電感上層金屬。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





