[發明專利]驅動電路及其中的電流控制電路

有效

• 申請號: 201210289797.2
• 申請日: 2012-08-15
• 公開（公告）號: CN103595382A
• 公開（公告）日: 2014-02-19
• 發明（設計）人: 李秋平
• 申請（專利權）人: 原景科技股份有限公司
• 主分類號: H03K17/687
• 分類號: H03K17/687
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 史新宏

1.一種電流控制電路，用以控制一驅動電路，藉使該驅動電路相應地驅動一功率金屬氧化物半導體晶體管，包含：

一電流鏡，包含一第一電流支路以及一第二電流支路，其中該第一電流支路以及該第二電流支路的一端電性耦接于一公共端點，該公共端點用以接收一第一電位；

一箝位P型金屬氧化物半導體晶體管，包含一控制端、一第一端以及一第二端，其中該控制端用以接收一參考電壓，該第一端電性耦接于該電流鏡的該第一電流支路；

一峰值電流控制支路，包含：

一電容，包含一第一端，其中該第一端用以接收一開關信號；

一電阻，包含一第一端以及一第二端，其中該第一端電性耦接于該電容的一第二端，該第二端用以接收一第二電位；以及

一控制N型金屬氧化物半導體晶體管，包含一控制端以及一第一端，其中該控制端電性耦接于該電容的該第二端，該第一端電性耦接于該箝位P型金屬氧化物半導體晶體管的該第二端，

其中當該電容的該第一端接收的該開關信號為一電壓電平狀態時，該控制N型金屬氧化物半導體晶體管導通，該電流鏡的該第一電流支路提供一峰值電流，該電流鏡的該第二電流支路相應地輸出一控制電流至該驅動電路的一控制端點，藉使該驅動電路輸出至該功率金屬氧化物半導體晶體管的功率柵極的一驅動電壓下降，以開啟該功率金屬氧化物半導體晶體管。

2.根據權利要求1所述的電流控制電路，其中該電流鏡的該第一電流支路在一特定時間內提供該峰值電流。

3.根據權利要求2所述的電流控制電路，其中該特定時間小于約20奈秒。

4.根據權利要求1所述的電流控制電路，其中該峰值電流控制支路的該電阻會對該耦合信號進行放電。

5.根據權利要求1所述的電流控制電路，其中該第一電位為一正電位，而該第二電位小于該第一電位。

6.根據權利要求1所述的電流控制電路，其中該功率金屬氧化物半導體晶體管為一高壓金屬氧化物半導體晶體管。

7.一種驅動電路，用以驅動一功率金屬氧化物半導體晶體管，包含：

一電流控制電路，包含：

一電流鏡，包含一第一電流支路以及一第二電流支路，其中該第一電流支路以及該第二電流支路的一端電性耦接于一公共端點，該公共端點用以接收一第一電位；

一第一箝位P型金屬氧化物半導體晶體管，包含一控制端以及一第一端，其中該控制端用以接收一參考電壓，該第一端電性耦接于該電流鏡的該第一電流支路；

一峰值電流控制支路，包含：

一電容，包含一第一端，其中該第一端用以接收一開關信號；

一電阻，包含一第一端以及一第二端，其中該第一端電性耦接于該電容的一第二端，該第二端用以接收一第二電位；以及

一控制N型金屬氧化物半導體晶體管，包含一控制端以及一第一端，其中該控制端電性耦接于該電容的該第二端，該第一端電性耦接于該第一箝位P型金屬氧化物半導體晶體管的一第二端；

一第一驅動支路，包含：

一電流源；

一第二箝位P型金屬氧化物半導體晶體管，包含一控制端以及一第一端，其中該控制端用以接收該參考電壓，該第一端電性耦接于一控制端點以及該電流源；以及

一第一開關N型金屬氧化物半導體晶體管，包含一控制端以及一第一端，其中該控制端用以接收一反相開關信號，該第一端電性耦接于該第二箝位P型金屬氧化物半導體晶體管的一第二端；

一第二驅動支路，包含：

一電流供應P型金屬氧化物半導體晶體管，包含一控制端以及一第一端，其中該控制端電性耦接于該控制端點，該第一端用以接收該第一電位；

一第三箝位P型金屬氧化物半導體晶體管，包含一控制端以及一第一端，其中該控制端用以接收該參考電壓，該第一端電性耦接于該電流供應P型金屬氧化物半導體晶體管的一第二端，該第一端輸出一驅動電壓至該功率金屬氧化物半導體晶體管的一功率柵極；以及

一第二開關N型金屬氧化物半導體晶體管，包含一控制端以及一第一端，其中該控制端用以接收該開關信號，該第一端電性耦接于該第三箝位P型金屬氧化物半導體晶體管的一第二端，

其中當該電容的該第一端接收的該開關信號為一電壓電平狀態時，該控制N型金屬氧化物半導體晶體管導通，該電流鏡的該第一電流支路提供一峰值電流，該電流鏡的該第二電流支路相應地輸出一控制電流至該控制端點，藉使該第三箝位P型金屬氧化物半導體晶體管的該第一端輸出至該功率金屬氧化物半導體晶體管的該功率柵極的該驅動電壓下降，以開啟該功率金屬氧化物半導體晶體管。