[發明專利]一種CDMOS工藝以及制作方法

有效

• 申請號: 201210288958.6
• 申請日: 2012-08-14
• 公開（公告）號: CN103594491A
• 公開（公告）日: 2014-02-19
• 發明（設計）人: 李天賀;陳建國
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L27/06;H01L21/8249
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種CDMOS工藝以及制作方法。

背景技術

隨著半導體技術的快速發展，現有的高壓BCD工藝（即包含BIPOLAR器件、CMOS器件和DMOS器件）中，DMOS器件能承受的擊穿電壓為200V~700V左右，在制作時多采用LDMOS結構。但是LDMOS結構面積較大，導致通電后，電流密度較小，不適用于功率較大的應用場合。

此外，作為BCD工藝的一種，高壓CDMOS工藝主要面向較高功率的應用場合，其中，DMOS器件在制作時，采用VDMOS結構，由于利用了VDMOS結構，使得CDMOS工藝平臺中的VDMOS能承受的電壓和電流增加，實現CDMOS應用于高功率場合的需求。

如圖1所示，為傳統的CDMOS工藝平臺下的結構圖，所述CDMOS工藝包括：N型襯底和N型外延、P型隔離阱、P隔離環、VDMOS體區、N型源漏及引線區、P型源漏及引線區、柵極氧化層、多晶硅柵極、場隔離氧化層、N型或P型場隔離、增強型NMOS管和耗盡型NMOS管。

傳統的CDMOS工藝平臺制作一般都采用N型濃摻襯底配N型外延層，除了VDMOS器件放置在VDMOS體區外，其他所有器件全部做在P型隔離阱內，這種單阱工藝的限制使得CDMOS工藝平臺中CMOS的電路部分只能采用N型MOS管，包括增強型NMOS管和耗盡型NMOS管。在傳統的CDMOS工藝平臺中，如果耗盡型NMOS管處于工作狀態時，在柵極無需加電壓；如果耗盡型NMOS管處于非工作狀態時，在柵極加負電壓；但是在加負電壓的情況下，耗盡型NMOS管雖然處于關斷狀態，但是靜態漏電仍然會偏大，這樣就造成了電力資源的浪費。

綜上所述，在現有技術中，采用CDMOS工藝制作的芯片存在耗盡型NMOS管導致的耗電量較大的問題。

發明內容

本發明實施例提供了一種CDMOS工藝以及制作方法，用于解決在現有技術中，采用CDMOS工藝制作的芯片存在耗盡型NMOS管導致的耗電量較大的問題。

一種CDMOS工藝平臺，包括：N型襯底和N型外延、P型隔離阱、P隔離環、VDMOS體區、N型源漏及引線區、P型源漏及引線區、柵極氧化層、多晶硅柵極、場隔離氧化層、N型或P型場隔離和增強型NMOS管，所述CDMOS工藝還包括：N型隔離阱和PMOS器件，其中：

PMOS器件處于N型隔離阱中，所述N型隔離阱處于P型隔離阱內。

一種CDMOS工藝的制作方法，所述方法包括：

在P型隔離阱區域內光刻出N型隔離阱區域；

向所述N型隔離阱區域內注入雜質離子，并將生成的N型隔離阱與該P型隔離阱一起推進至設定的深度；

對所述P型隔離阱和N型隔離阱做隔離氧化處理后，將增強型NMOS器件加入至P型隔離阱且該增強型NMOS器件不在所述N型隔離阱內，以及將PMOS器件加入至該N型隔離阱內。

本發明有益效果如下：

本發明實施例通過將現有技術中CDMOS工藝中的耗盡型NMOS器件用PMOS器件代替，為了實現這種替代，在制作工藝上，增加了N型隔離阱，所述N型隔離阱處于P型隔離阱的空間內，并將增加的PMOS器件處于N型隔離阱內工作，由于PMOS器件是增強型器件，只有在PMOS器件柵極電壓值達到設定的開啟電壓值時才進行工作，否則PMOS器件不工作，與現有的耗盡型NMOS器件相比，可避免耗盡型NMOS器件在不工作的狀態下靜態漏電流偏大導致芯片待機功耗偏大的問題。

附圖說明

圖1為傳統的CDMOS工藝的結構示意圖；

圖2為本發明實施例一的一種CDMOS工藝平臺的結構示意圖；

圖3為本發明實施例二的一種CDMOS工藝的制作方法。

具體實施方式

為了實現本發明的目的，本發明實施例提供了一種CDMOS工藝以及制作方法，通過將現有技術中CDMOS工藝中的耗盡型NMOS器件用PMOS器件代替，為了實現這種替代，在制作工藝上，增加了N型隔離阱，所述N型隔離阱處于P型隔離阱的空間內，并將增加的PMOS器件處于N型隔離阱內工作，由于PMOS器件是增強型器件，只有在PMOS器件柵極電壓值達到設定的開啟電壓值時才進行工作，否則PMOS器件不工作，與現有的耗盡型NMOS器件相比，可避免耗盡型NMOS器件在不工作的狀態下靜態漏電流偏大導致芯片待機功耗偏大的問題。。

下面結合說明書附圖對本發明各實施例進行詳細描述。

實施例一：