[發明專利]超高亮度發光二極管及其制備方法無效
| 申請號： | 201210287977.7 | 申請日： | 2012-08-14 |
| 公開（公告）號： | CN102779913A | 公開（公告）日： | 2012-11-14 |
| 發明（設計）人： | 戴菁甫;張君逸;界曉菲 | 申請（專利權）人： | 天津三安光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/10 | 分類號： | H01L33/10;H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 300384 天津市*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 超高 亮度 發光二極管 及其 制備 方法 | ||
1.超高亮度發光二極管，包括：
導電基板，其具有正、反兩主表面；
反射層，位于所述基板的正表面之上；
P型GaP窗口層，位于所述反射層之上，其厚度小于或等于2um，用于擴展電流的同時避免光在傳導過程中的散射損失；
發光外延層，位于所述P型GaP窗口層之上，其至下而上為p型限制層、發光層、n型限制層。
2.根據權利要求2所述的超高亮度發光二極管，其特征在于，還包括：n電極，形成于所述n型限制層之上；p電極，形成于所述導電基板的背面。
3.根據權利要求1所述的超高亮度發光二極管，其特征在于：所述p型GaP窗口層為C元素摻雜。
4.根據權利要求3所述的超高亮度發光二極管，其特征在于：所述C元素摻雜的p型GaP窗口層達到阻絕金屬擴散效果。
5.根據權利要求3所述的超高亮度發光二極管，其特征在于：所述p型GaP窗口層的C元素摻雜濃度大于1×1018cm-3。
6.超高亮度發光二極管的制備方法，包括步驟：
提供一生長襯底，在其上依次外延生長n型限制層、發光層和p型限制層，構成發光外延層；
在發光外延層上沉積一p型GaP窗口層，其厚度小于或等于2um，使得起到擴展電流作用的同時避免光在傳導過程中的散射損失；
在p型GaP窗口層上形成反射層；
提供一導電基板，基板與反射層粘接；
移除所述生長襯底。
7.根據權利要求6所述的超高亮度發光二極管的制備方法，其特征在于：還包括分別在n型限制層和基板背面上制作n、p電極。
8.根據權利要求6所述的超高亮度發光二極管的制備方法，其特征在于：所述p型GaP窗口層為C元素摻雜，其摻雜濃度大于1×1018cm-3。
9.根據權利要求8所述的超高亮度發光二極管的制備方法，其特征在于：在p型GaP窗口層外延生長過程通過輸入含C元素的物質引入C雜質。
10.根據權利要求8所述的超高亮度發光二極管的制備方法，其特征在于：在高濃度C摻雜的生長環境下，低溫外延生長獲得結構性高濃度C摻雜GaP窗口層。
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