[發(fā)明專利]用于顯示裝置的陣列基板及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210287676.4 | 申請(qǐng)日: | 2012-08-13 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102955308A | 公開(公告)日: | 2013-03-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 南承熙;柳洵城;文泰亨;李揆煌;宋泰俊 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號(hào): | G02F1/1362 | 分類號(hào): | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/02;H01L29/786;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京律誠同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 顯示裝置 陣列 及其 制造 方法 | ||
本申請(qǐng)要求享有于2011年8月19日提交的韓國專利申請(qǐng)第10-2011-0082808號(hào)和于2012年6月25日提交的韓國專利申請(qǐng)第10-2012-0067842號(hào)的優(yōu)先權(quán),為了所有目的,通過援引將所述專利申請(qǐng)并入本文,如同所述專利申請(qǐng)?jiān)诖吮蝗筷U述一樣。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開內(nèi)容涉及一種用于顯示裝置的陣列基板,特別是涉及一種用于包括薄膜晶體管的顯示裝置的陣列基板,以及該陣列基板的制造方法。
背景技術(shù)
隨著信息技術(shù)的快速發(fā)展,需要各種用于顯示圖像的顯示裝置。已提出諸如液晶顯示(LCD)裝置、等離子體顯示面板(PDP)裝置和有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)裝置之類的平板顯示(FPD)裝置。
在所述FPD裝置中,LCD裝置由于尺寸小、重量輕、外形薄以及功耗低的優(yōu)勢得到廣泛應(yīng)用。
包括以矩陣形式布置的像素和用于控制各個(gè)像素的開/關(guān)的開關(guān)元件的有源矩陣型顯示裝置已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用。有源矩陣型顯示裝置包括陣列基板,在所述陣列基板上形成有柵線、數(shù)據(jù)線、開關(guān)元件以及像素電極。以下將參照附圖來描述陣列基板。
圖1是表示根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的用于顯示裝置的陣列基板的平面圖。
在圖1中,柵線22和數(shù)據(jù)線52彼此交叉以限定像素區(qū)域P。薄膜晶體管T與柵線22和數(shù)據(jù)線52連接。
薄膜晶體管T包括柵極24、有源層42、源極54和漏極56。柵極24與柵線22連接,源極54與數(shù)據(jù)線52連接,并且漏極56與源極54分隔開。有源層42在源極54和漏極56之間被暴露,并且有源層42的暴露部分成為薄膜晶體管T的溝道。
像素電極72形成在像素區(qū)域P中并通過漏極接觸孔62與薄膜晶體管T的漏極56連接。
將參照?qǐng)D2描述根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的用于顯示裝置的陣列基板的截面結(jié)構(gòu)。
圖2是表示根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的用于顯示裝置的陣列基板的截面圖,并且圖2對(duì)應(yīng)于沿圖1的II-II線截取的截面。
圖2中,在基板10上形成有柵線22和與柵線22連接的柵極24,并且在柵線22和柵極24上形成有柵絕緣層30。
在柵絕緣層30上且在柵極24的上方形成有本征硅的有源層42,而在有源層42上形成有摻雜硅的歐姆接觸層44。
在歐姆接觸層44上形成有數(shù)據(jù)線52、源極54和漏極56。在數(shù)據(jù)線52、源極54和漏極56上形成有鈍化層60。鈍化層60包括暴露漏極56的漏極接觸孔62。
在鈍化層60上形成有像素電極72,并且像素電極72通過漏極接觸孔62與漏極56連接。
近來,由于顯示裝置被要求具有大尺寸和高清晰度,所以諸如柵線22和數(shù)據(jù)線52之類的信號(hào)線的長度變得更長。于是,信號(hào)線的電阻增大,引起信號(hào)延遲。另外,由于驅(qū)動(dòng)速度提高,所以施加給信號(hào)線的負(fù)載升高。為解決這些問題,人們進(jìn)行了各種嘗試。
例如,通過加寬信號(hào)線的寬度可降低信號(hào)線的電阻。在這種情況下,由于像素區(qū)域的面積減小,使孔徑比減小并且亮度降低。這里,亮度可通過增加所供給的光的量來提高。然而,這使功耗升高,并且發(fā)光效率降低。
可替代地,通過加厚信號(hào)線的厚度可減小信號(hào)線的電阻。然而,信號(hào)線是通過沉積金屬材料以形成金屬層并且選擇性地構(gòu)圖(pattern)所述金屬層而形成的。于是,為了加厚信號(hào)線的厚度,應(yīng)加厚所述金屬層的厚度,進(jìn)而用于沉積的金屬材料的量也增加。此外,用于構(gòu)圖所述金屬層的刻蝕劑的量也增加。因此,陣列基板的制造成本提高。
同時(shí),某些金屬材料在與基板接觸方面具有不良性能,并且當(dāng)這些金屬材料形成得厚時(shí),可能會(huì)斷裂或從基板上剝離。因此,信號(hào)線厚度的增加具有限度。
發(fā)明內(nèi)容
因此,本發(fā)明涉及一種用于顯示裝置的陣列基板以及所述陣列基板的制造方法,所述陣列基板和制造方法基本上消除了由于現(xiàn)有技術(shù)的局限和缺陷而導(dǎo)致的一個(gè)或多個(gè)問題。
本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于提供了一種能夠減小信號(hào)線電阻的用于顯示裝置的陣列基板及所述陣列基板的制造方法。
本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于提供了一種能夠提高孔徑比和亮度的用于顯示裝置的陣列基板及所述陣列基板的制造方法。
本發(fā)明的其它特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中闡明,其中的一部分從說明書中是顯而易見的,或可以通過對(duì)本發(fā)明的實(shí)施而獲悉。本發(fā)明的這些和其他優(yōu)點(diǎn)可以通過說明書、權(quán)利要求書以及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)和獲得。
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G02F 用于控制光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào),上述器件或裝置的光學(xué)操作是通過改變器件或裝置的介質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)來修改的;用于上述操作的技術(shù)或工藝;變頻;非線性光學(xué);光學(xué)
G02F1-00 控制來自獨(dú)立光源的光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如,轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制;非線性光學(xué)
G02F1-01 .對(duì)強(qiáng)度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制,即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的





