[發明專利]RF LDMOS器件及制造方法

有效

• 申請號: 201210287203.4
• 申請日: 2012-08-13
• 公開（公告）號: CN103050531A
• 公開（公告）日: 2013-04-17
• 發明（設計）人: 李娟娟;慈朋亮;錢文生;韓峰;董金珠
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/40;H01L21/336
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 王江富

1.一種RF?LDMOS器件，在P外延的右部形成有一N型漏端輕摻雜漂移區，在N型漏端輕摻雜漂移區左側的P外延上形成有柵氧，所述柵氧上方形成有多晶硅柵，所述多晶硅柵上方、側面及所述N型漏端輕摻雜漂移區左部上方形成有介質層，所述介質層右部上方形成有法拉第盾，所述法拉第盾為單層金屬層，該單層金屬層包括多晶硅部、漂移部、豎直部，豎直部在多晶硅柵右側，豎直部上端同多晶硅部右端連通，豎直部下端同漂移部左端連通，多晶硅部的左端在多晶硅柵上方，漂移部在N型漏端輕摻雜漂移區上方，其特征在于，

該單層金屬層的多晶硅部正下方的介質層為氧化硅，該單層金屬層的漂移部正下方的介質層包括氧化硅、氮化硅，氮化硅區域的寬度小于所述漂移部的寬度，氮化硅區域的上部接該單層金屬層的漂移部，下部及兩側為氧化硅。

2.根據權利要求1所述的RF?LDMOS器件，其特征在于，

氮化硅區域的厚度為1000～3000埃。

3.根據權利要求1所述的RF?LDMOS器件，其特征在于，

氮化硅區域的寬度為0～1.3um。

4.根據權利要求1所述的RF?LDMOS器件，其特征在于，

在P外延的左部形成有一P阱，所述P阱與所述N型漏端輕摻雜漂移區不接觸；

所述P阱的上部形成有一N型源端重摻雜區；

所述N型漏端輕摻雜漂移區的右部形成有一N型漏端重摻雜區；

所述N型漏端重摻雜區、N型源端重摻雜區的N型雜質濃度，大于N型漏端輕摻雜漂移區的N型雜質濃度；

所述N型源端重摻雜區右側的P阱上方，及所述P阱與所述N型漏端輕摻雜漂移區之間的P外延上方，形成有所述柵氧。

5.一種權利要求1所述的RF?LDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

一.形成柵氧、多晶硅柵、N型漏端輕摻雜漂移區，N型漏端輕摻雜漂移區形成在P外延的右部，柵氧形成在N型漏端輕摻雜漂移區左側的P外延上，多晶硅柵形成在所述柵氧上；

二．在硅片上整體淀積一層氧化硅；

三．通過光刻刻蝕，在N型漏端輕摻雜漂移區左部上方的氧化硅中形成一溝槽，所述溝槽的深度小于該層氧化硅的厚度；

四．在硅片上整體淀積一層氮化硅，該層氮化硅的厚度等于所述溝槽的深度；

五．將所述溝槽以外區域的氮化硅刻蝕掉；

六．在硅片上淀積一層金屬層并進行相應的刻蝕，形成法拉第盾；

構成所述法拉第盾的金屬層包括多晶硅部、漂移部、豎直部，豎直部在多晶硅柵右側，豎直部上端同多晶硅部右端連通，豎直部下端同漂移部左端連通，多晶硅部的左端在多晶硅柵上方，漂移部位于所述溝槽的正上方，并且漂移部的寬度大于所述溝槽的寬度；

七.進行后續工藝，形成RF?LDMOS器件。

6.根據權利要求5所述的RF?LDMOS器件的制造方法，其特征在于，

所述溝槽的寬度小于等于1.3um，深度為1000～3000埃；

該層氮化硅的厚度為1000～3000埃。

7.根據權利要求5所述的RF?LDMOS器件的制造方法，其特征在于，

步驟一包括以下步驟：

（1）在P襯底上生長P外延；

（2）在P外延中通過P離子注入及高溫推阱形成P阱；

（3）在P外延上生長柵氧化層；

（4）在柵氧化層上淀積多晶硅；

（5）通過光刻膠定義多晶硅柵的位置和面積，多晶硅柵的左端在所述P阱的右部上方，將多晶硅柵區域之外的柵氧化層及多晶硅刻蝕去除，形成柵氧及多晶硅柵；

（6）保留多晶硅柵頂部的光刻膠，進行N型輕摻雜離子注入，在多晶硅柵右側的P外延中形成一N型漏端輕摻雜漂移區。