[發明專利]防止半導體產品高溫快速退火時產生缺陷的方法無效
| 申請號： | 201210286882.3 | 申請日： | 2012-08-13 |
| 公開（公告）號： | CN103632956A | 公開（公告）日： | 2014-03-12 |
| 發明（設計）人： | 孫建軍;端木佳清 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/324 | 分類號： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴廣志 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 防止 半導體 產品 高溫 快速 退火 產生 缺陷 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種防止半導體產品高溫快速退火時產生缺陷的方法，在進行高劑量大于等于1E14離子/平方厘米注入后，硅基板被裸露，其特征在于：在進行高溫退火時采用氬氣作為工藝氣體；所述高溫是指溫度大于等于1000℃，持續時間大于等于10秒。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述氬氣應用在升溫、保溫和降溫的所有過程。
3.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述氬氣流量設定為大于等于5升/分鐘。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
