[發明專利]流體處理結構、光刻設備以及器件制造方法

有效

• 申請號: 201210285340.4
• 申請日: 2012-08-06
• 公開（公告）號: CN102914948A
• 公開（公告）日: 2013-02-06
• 發明（設計）人: D·貝斯塞蒙斯;E·H·E·C·奧姆梅倫;R·H·M·考蒂;A·J·貝藤;M·里彭;C·M·諾普斯
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 吳敬蓮

技術領域

本發明涉及流體處理結構、光刻設備、使用光刻設備制造器件的方法、以及操作光刻設備的方法。?

背景技術

光刻設備是一種將所需圖案應用到襯底上，通常是襯底的目標部分上的機器。例如，可以將光刻設備用在例如集成電路(IC)的制造中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩模或掩模版的圖案形成裝置用于生成在所述IC的單層上待形成的電路圖案。可以將該圖案轉移到襯底(例如，硅晶片)上的目標部分(例如，包括一部分管芯、一個或多個管芯)上。通常，圖案的轉移是通過把圖案成像到提供到襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上進行的。通常，單獨的襯底將包含被連續形成圖案的相鄰目標部分的網絡。公知的光刻設備包括：所謂的步進機，在所述步進機中，通過將全部圖案一次曝光到所述目標部分上來輻射每一個目標部分；以及所謂的掃描器，在所述掃描器中，通過輻射束沿給定方向(“掃描”方向)掃描所述圖案、同時沿與該方向平行或反向平行的方向掃描所述襯底來輻射每一個目標部分。也可能通過將圖案壓印(imprinting)到襯底上的方式從圖案形成裝置將圖案轉移到襯底上。?

已經提出將光刻投影設備中的襯底浸入到具有相對高折射率的液體(例如水)中，以便充滿投影系統的最終元件和襯底之間的空間。在一實施例中，液體是蒸餾水，但是可以使用其他液體。本發明的實施例將參考液體進行描述。然而，其它流體也可能是適合的，尤其是潤濕性流體、不能壓縮的流體和/或具有比空氣高的折射率的流體，期望地，其為具有比水高的折射率的流體。除氣體之外的流體尤其是希望的。這樣的想法是為了實現更小特征的成像，因為在液體中曝光輻射將會具有更短的波長。(液?體的影響也可以被看成提高系統的有效數值孔徑(NA)，并且也增加焦深)。還提出了其他浸沒液體，包括其中懸浮有固體顆粒(例如石英)的水，或具有納米懸浮顆粒(例如具有最大尺寸達10nm的顆粒)的液體。這種懸浮的顆粒可以具有或不具有與它們懸浮所在的液體相似或相同的折射率。其他可能合適的液體包括烴(諸如芳香烴、氟化烴)和/或水溶液。?

將襯底或襯底與襯底臺浸入液體浴器(參見，例如美國專利US4,509,852)意味著在掃描曝光過程中需要加速很大體積的液體。這需要額外的或更大功率的電動機，而液體中的湍流可能會導致不希望的或不能預期的效果。?

在浸沒設備中，浸沒流體由流體處理系統、器件結構或設備來處理。在一實施例中，流體處理系統可以供給浸沒流體，因此是流體供給系統。在一實施例中，流體處理系統可以至少部分地限定浸沒流體，因而是流體限制系統。在一實施例中，流體處理系統可以提供針對浸沒流體的阻擋件，因而是阻擋構件，諸如流體限制結構。在一實施例中，流體處理系統可以產生或者使用氣流，例如幫助控制浸沒流體的流動和/或位置。氣流可以形成密封以限制浸沒流體，使得流體處理結構可以被稱為密封構件；這種密封構件可以是流體限制結構。在一實施例中，浸沒液體用作浸沒流體。在那種情況下，流體處理系統可以是液體處理系統。參考以上描述，在該段落中針對相對于流體限定的特征的參考可以理解為包括相對于液體限定的特征。?

發明內容

如果浸沒液體由流體處理系統限制到處在投影系統下面的表面上的局部區域，則彎液面在流體處理系統和該表面之間延伸。彎液面的不穩定可能在浸沒液體中導致可能引起成像誤差(例如通過在襯底的成像過程中干擾投影束引起成像誤差)的氣泡。?

例如期望提供一種至少降低包含氣泡的可能性的光刻設備。?

根據一個方面，提供一種用于光刻設備的流體處理結構，所述流體處理結構在配置成將浸沒流體限制于流體處理結構外部的區域的空間邊界處具有：彎液面釘扎特征，用于抑制浸沒流體沿徑向向外的方向從所述空?間通過；至少一個氣體供給開口，所述氣體供給開口至少部分地圍繞彎液面釘扎特征并位于彎液面釘扎特征的徑向外部；和可選的至少一個氣體回收開口，所述氣體回收開口位于氣體供給開口的徑向外部，其中氣體供給開口、或氣體回收開口或氣體供給開口和氣體回收開口兩者，在所述空間的周邊每米長度的開口面積具有變化。?