[發明專利]發光二極管元件的制造方法與發光二極管晶圓

無效

• 申請號: 201210282769.8
• 申請日: 2012-08-09
• 公開（公告）號: CN103456849A
• 公開（公告）日: 2013-12-18
• 發明（設計）人: 夏德玲;李佳恩
• 申請（專利權）人: 隆達電子股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/50;H01L33/64
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 趙根喜;馮志云

1.一種發光二極管元件的制造方法，其特征在于上述制造方法包括步驟：

在一外延成長基板上形成一外延結構，該外延結構具有多個高臺狀發光二極管；

以一散熱基板取代該外延成長基板；

測量各所述高臺狀發光二極管的發光波長以產生一波長測量數據；

設置一注膠板于該外延結構上，該注膠板有多個注膠孔，以分別曝露所述多個高臺狀發光二極管；以及

經由所述多個注膠孔涂布熒光膠于所述多個高臺狀發光二極管上，以在該散熱基板上形成多個發光元件。

2.如權利要求1所述的發光二極管元件的制造方法，其特征在于，在經由所述多個注膠孔涂布熒光膠于各所述高臺狀發光二極管以形成多個發光元件的步驟還包括：

根據該波長測量數據，調整熒光膠中的熒光粉濃度或組成比例以使各所述發光元件的發光波長位于特定范圍中。

3.如權利要求1所述的發光二極管元件的制造方法，其特征在于，上述制造方法還包括步驟：

在涂布熒光膠于各所述高臺狀發光二極管后，通過切割程序，使得該散熱基板上的所述多個發光元件形成分離的發光元件。

4.如權利要求1所述的發光二極管元件的制造方法，其特征在于，在以該散熱基板取代該外延成長基板的步驟包括：

將該外延結構貼附至一暫時基板；

去除該外延成長基板；

將該外延結構未貼附該暫時基板的一面貼附至一散熱基板，且該散熱基板的熱導率大于該外延成長基板的熱導率；以及

去除該暫時基板。

5.如權利要求1~4任一所述的發光二極管元件的制造方法，其特征在于該外延成長基板為藍寶石基板，而該散熱基板為硅基板或金屬基板。

6.如權利要求5所述的發光二極管元件的制造方法，其特征在于各所述注膠孔的孔壁分別位于所對應的各所述高臺狀發光二極管的周圍以防止溢膠。

7.一種發光二極管晶圓，其特征在于上述發光二極管晶圓包括：

一散熱基板；以及

一外延結構，設置在該散熱基板上，該外延結構具有多個高臺狀發光二極管；

其中，各所述高臺狀發光二極管上分別涂布有熒光膠以在該散熱基板上形成多個發光元件，且各所述發光元件的發光波長位于一特定范圍中。

8.如權利要求7所述的發光二極管晶圓，其特征在于該散熱基板為硅基板或金屬基板。