[發明專利]一種透明導電薄膜及其制備方法

有效

• 申請號: 201210276247.7
• 申請日: 2012-08-06
• 公開（公告）號: CN102779944A
• 公開（公告）日: 2012-11-14
• 發明（設計）人: 周建萍
• 申請（專利權）人: 上海電力學院
• 主分類號: H01L51/44
• 分類號: H01L51/44;H01L51/48
• 代理公司: 上海申匯專利代理有限公司 31001
• 代理人: 吳寶根

1.一種透明導電薄膜，從下到上依次由襯底，第一氧化物層、金屬層和第二氧化物層組成，其特征在于還包括抑制層，所述的抑制層直接插在金屬層與氧化物層之間，所述的氧化物層為第一氧化物層或第二氧化物層；?

所述的抑制層的材料為金屬、金屬氧化物、氮化物或氟化物；

其中所述的金屬為鋁、鎂、銦、鎵或鋰；

所述的金屬氧化物為氧化鋁或氧化銦；

所述的氟化物為氟化鎂或氟化鋰。

2.如權利要求1所述的一種透明導電薄膜，其特征在于所述的襯底材料為透明塑料、透明玻璃、石英或藍寶石；

所述的第一、二氧化物層的材料相同或不同，所述的第一、二氧化物層的材料為氧化鋅、摻鎵氧化鋅、摻鋁氧化鋅、摻錫氧化銦、氧化鎳、五氧化二釩、氧化錫、摻氟氧化錫、氧化鉬、氧化鎢、PbS、PbSe、CdSe、CdTe或ZnSe；

所述的金屬層的材料為銀、金、鎳、銅、鉑或鋁。

3.如權利要求2所示的一種透明導電薄膜，其特征在于所述的襯底厚度為0.7-10mm；

所述的第一、二氧化物層的厚度相等或不同，范圍為10-100nm；

所述的金屬層的厚度為4-30nm；

所述的抑制層的厚度可為0.1-3nm。

4.如權利要求3所述的一種透明導電薄膜，其特征在于：當抑制層為一層時，所述的透明導電薄膜的結構從下到上依次為襯底，第一氧化物層、金屬層、抑制層和第二氧化物層；

或襯底，第一氧化物層、抑制層、金屬層和第二氧化物層。

5.如權利要求4所述的一種透明導電薄膜，其特征在于：第一氧化物層、第二氧化物層均為氧化鋅、摻錫氧化銦、摻鋁氧化鋅、TiO₂、NiO、Mo₂O₃或WO₃，金屬層為銀或金，抑制層為金屬鋁或氟化鋰。

6.如權利要求3所述的一種透明導電薄膜，其特征在于：當抑制層為二層時，所述的透明導電薄膜的結構從下到上依次為襯底，第一氧化物層、第一抑制層、金屬層、第二抑制層和第二氧化物層。

7.如權利要求6所述的一種透明導電薄膜，其特征在于：第一氧化物層、第二氧化物層均為氧化鋅、摻鋁氧化鋅或氧化鉬、金屬層為銀或金，第一、二抑制層為氟化鋰、氧化鋁或鋁。

8.如權利要求1～7任一權利要求所述的一種透明導電薄膜的制備方法，其特征在于通過磁控濺射、真空熱蒸發、離子束濺射、電子束蒸發、激光沉積、打印、印刷或旋涂方法，最終得到透明導電薄膜。

9.如權利要求1～7任一權利要求所述的一種透明導電薄膜在光電器件中作為其透明導電電極的應用。

10.如權利要求1～7任一權利要求所述的一種透明導電薄膜在有機太陽能電池中作為其透明導電電極的應用。