[發明專利]氣體回收系統及氣體還原裝置

有效

• 申請號: 201210273159.1
• 申請日: 2012-08-02
• 公開（公告）號: CN103572195A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: 蕭盈詩;坂本仁志
• 申請（專利權）人: 核心能源實業有限公司;坂本仁志
• 主分類號: C23C8/08
• 分類號: C23C8/08;H01L31/18
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 梁愛榮

技術領域

本發明有關于一種氣體回收系統，特別是有關于一種能將硒化氫因熱分解所形成的廢氣的氣體回收系統。

背景技術

銅銦鎵硒化物系列的薄膜光電元件是擁有高效率的太陽能電池，銅銦鎵硒化物(Copper?Indium?Gallium?Selenide?CIGS)，其太陽能的基板制作，除了蒸鍍制程外，其制程大部分都需經過硒化(Selenization)處理，現今硒化(Selenization)處理商業上量產采用硒化氫(H₂Se)為反應氣體。

以現今例子來說明：當一個銅銦鎵硒化合物層(CIGS)太陽能電池要進行硒化制程時，經由濺鍍法(Sputtering)沉積技術在玻璃基板上所形成的含銅、鎵及銦的合金或單體的多層前驅物(Precursors)薄膜堆棧的電池結構送至硒化爐(一種熱處理爐)中，并將硒化氫(H₂Se)氣體通入至硒化爐中，當硒化爐內的溫度被加熱到達400℃以上時，硒化氫(H₂Se)氣體即開始與多層前驅物薄膜發生反應；然而，在CIGS太陽能電池的硒化制程中，還需要將多層薄膜堆棧的電池結構加熱后，才能夠與硒化氫氣體起良好反應，進而得到好的CIGS薄膜層。因硒化爐內的硒化反應，需維持充足的硒化氫氣體分子數目，故通入硒化氫氣體反應并不能完全與多層前驅物薄膜發生反應，多余未反應氣體經由除害系統處理后，并無繼續再利用。

一般硒化制程中所使用硒來源可分為固態硒，氣態二氫化硒(H₂Se)方式來獲得，但以使用氣態二氫化硒為主流。使用氣態二氫化硒(H₂Se)具侵腐蝕性與毒性，經由反應槽高溫裂解產生硒氣態原子進行硒化，但為了提供足夠并且均勻的硒氣體原子數目，常造成額外的耗費及后續廢棄處理的成本升高。

發明內容

為了解決上述問題，本發明的一主要目的在于提供一氣體回收系統，通過其高效率氣體回收方式，經由氣體回收系統使熱裂解后的硒化氫氣體能更有效處理回收再利用。

依據上述目的，本發明提供一種氣體回收系統，其中包括：至少一氣體供給系統，其中包含：一供給源，提供至少一氣體；一氣體供給單元，與氣體供給源連接；至少一氣體處理系統，與氣體供給系統連接，其中包括：一氣體反應器，與氣體供給單元連接；及一氣體還原裝置，與氣體反應器連接；一氣體分離系統，與氣體處理系統連接，其中包括：一第一排氣單元，與氣體還原裝置連接；一純化單元，與第一排氣單元連接；一第二排氣單元，與純化單元連接；及一加熱蒸發單元，與純化單元及氣體供給單元連接。

本發明再一主要目的在于提供一氣體還原裝置，能還原已經使用過的廢棄氣體，不僅能降低成本，更使氣體能更有效運用。

依據上述目的，本發明提供一種氣體還原裝置，包括一氣體還原單元及一氣體導入管，氣體導入管內流通一第一氣體，且氣體還原單元連接氣體導入管，其中氣體還原單元的特征在于：氣體還原單元包括：一導管，連接氣體導入管；一還原氣體源，與導管連接，并提供一第二氣體流通至氣體導入管內；及一微波發射裝置，發射一微波，并將微波射入至導管內的第二氣體。

通過本發明所提供的氣體還原裝置與氣體回收系統，使其具有高回收效率的優點，并節省廢氣處理及使用新氣體的成本。

附圖說明

圖1為本發明的氣體回收系統簡化處理程序的功能方塊圖；

圖2為本發明的回收系統處理程序的功能方塊圖；

圖3為本發明的氣體還原裝置的示意圖；

圖4為本發明的氣體還原裝置另一實施例示意圖；

圖5為本發明的氣體還原裝置再另一實施例示意圖氣體回收系統；

圖6為本發明氣體回收系統另一實施例示意圖。

主要元件符號說明

1?????????????氣體回收系統

2?????????????氣體供給系統

21????????????供給源

23????????????氣體供應系統

25、25’??????質量流量控制器

3、3’????????氣體處理系統

31????????????氣體反應器

33????????????第一儲存槽

35、35’、35ⁿ?氣體還原裝置

351???????????氣體還原單元

3511??????????導管

3513??????????腔體