[發明專利]FinFET及其制造方法

有效

• 申請號: 201210271383.7
• 申請日: 2012-07-31
• 公開（公告）號: CN103296069A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發明（設計）人: 林毓超;彭治棠;楊舜惠;陳嘉仁;陳昭成
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L29/786;H01L21/28;H01L21/336
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種鰭式場效應晶體管(FinFET)，包括：

襯底，包含有主表面；

多個第一溝槽，具有第一寬度并且從所述襯底的主表面向下延伸至第一高度，其中，鄰近的第一溝槽之間的第一間隔限定出第一鰭片；以及

多個第二溝槽，具有小于所述第一寬度的第二寬度并且從所述襯底的主表面向下延伸至大于所述第一高度的第二高度，其中，鄰近的第二溝槽之間的第二間隔限定出第二鰭片。

2.根據權利要求1所述的FinFET，其中，所述第二寬度與所述第一寬度的比率是約0.1至約0.5。

3.根據權利要求1所述的FinFET，其中，所述第二高度與所述第一高度的比率是約1.05至約1.25。

4.根據權利要求1所述的FinFET，其中，所述第二間隔等于或者小于所述第一間隔。

5.根據權利要求1所述的FinFET，其中，所述第二間隔與所述第一間隔的比率是約0.5至約1。

6.根據權利要求1所述的FinFET，其中，所述第一鰭片包括基本上垂直的側壁。

7.根據權利要求1所述的FinFET，其中，所述第二鰭片包括楔形側壁。

8.一種半導體器件，包括：

襯底，包含有主表面；以及

第一鰭式場效應晶體管(FinFET)，包括：

多個第一溝槽，具有第一寬度并且從所述襯底的主表面向下延伸至第一高度，其中，鄰近的第一溝槽之間的第一間隔限定出第一鰭片；

第一柵極電介質，位于所述第一鰭片的頂面和側壁上；以及

第一柵電極，位于所述第一柵極電介質上；以及

第二FinFET，包括：

多個第二溝槽，具有小于所述第一寬度的第二寬度并且從所述襯底的主表面向下延伸至大于所述第一高度的第二高度，其中，鄰近的第二溝槽之間的第二間隔限定出第二鰭片；

第二柵極電介質，位于所述第二鰭片的頂面和側壁上；以及

第二柵電極，位于所述第二柵極電介質上。

9.一種制造半導體器件的方法，包括：

在包含有主表面的襯底的上方形成經圖案化的硬掩模層；以及

在約90℃至120℃的靜電吸盤(ESC)溫度下形成多個第一溝槽和多個第二溝槽，所述多個第一溝槽具有第一寬度并且從所述襯底的主表面向下延伸至第一高度，所述多個第二溝槽具有小于所述第一寬度的第二寬度并且從所述襯底的主表面向下延伸至大于所述第一高度的第二高度。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，采用選自NF₃、CF₄和SF₆的化學物質作為蝕刻氣體來實施形成多個第一溝槽和多個第二溝槽的步驟。