[發明專利]半導體芯片和用于制造半導體芯片的方法

有效

• 申請號: 201210270367.6
• 申請日: 2008-04-24
• 公開（公告）號: CN102779917A
• 公開（公告）日: 2012-11-14
• 發明（設計）人: 卡爾·恩格爾;盧茨·赫佩爾;克里斯托夫·艾克勒;馬蒂亞斯·扎巴蒂爾;安德烈亞斯·魏瑪
• 申請（專利權）人: 歐司朗光電半導體有限公司
• 主分類號: H01L33/40
• 分類號: H01L33/40;H01L33/38;H01S5/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王萍;陳煒

1.一種半導體芯片（1），其具有半導體本體（2），該半導體本體包括帶有設計用于產生輻射的有源區（25）的半導體層序列，其中

-在半導體本體（2）上設置有反射結構（3），該反射結構具有反射層（4）以及至少局部地設置在反射層（4）和半導體本體（2）之間的介電層結構（5）；

-介電層結構（5）具有多個介電層（51，52），借助介電層形成介電反射結構；

-介電層結構（5）具有凹處（55）；以及

-在半導體本體（2）上設置有接觸結構（6），該接觸結構設置在介電層結構（5）的至少一個凹處（55）中。

2.根據權利要求1所述的半導體芯片，其中半導體本體（2）具有側面（26），該側面在橫向方向上形成半導體本體（2）的邊界，并且其中介電層結構（5）在橫向方向上至少局部地伸出形成半導體本體（2）的邊界的側面（26）。

3.根據權利要求1所述的半導體芯片，其中介電層結構（5）借助凹處（55）劃分為至少兩個獨立的部分區域（5A，5B）。

4.根據權利要求2所述的半導體芯片，其中介電層結構（5）借助凹處（55）劃分為至少兩個獨立的部分區域（5A，5B）。

5.根據權利要求1所述的半導體芯片，其中接觸結構（6）多層地構建。

6.根據權利要求2至4中的任一項所述的半導體芯片，其中接觸結構（6）多層地構建。

7.根據權利要求1至5中的任一項所述的半導體芯片，其中接觸結構（6）具有包含TCO材料的層（62）。

8.根據權利要求7所述的半導體芯片，其中接觸結構（6）具有反射器層（61），該反射器層含有金屬或者金屬合金并且比反射層（4）更接近半導體本體（2）地設置，其中接觸結構（6）的含有TCO材料的層（62）設置在半導體本體（2）和反射器層（61）之間。

9.根據權利要求1至5中的任一項所述的半導體芯片，其中另外的接觸結構（65）在有源區（25）的背離接觸結構（6）的側上設置在半導體本體（2）的表面（27）上，其中該表面（27）在與所述另外的接觸結構（65）橫向鄰接的區域（271）中是平坦的，并且在與該表面（27）的平坦區域鄰接的另外的區域（272）中具有結構化部（28）。

10.根據權利要求1至5中的任一項所述的半導體芯片，其中半導體芯片具有支承體（7），其中介電層結構（5）設置在半導體本體（2）和支承體（7）之間。

11.根據權利要求1所述的半導體芯片，其中半導體芯片（1）具有支承體（7），在該支承體上設置有半導體本體（2），并且其中介電層結構（5）：

－設置在支承體（7）和半導體本體（2）之間，

－在橫向方向上至少局部地伸出半導體本體（2）的、在橫向方向上形成半導體本體（2）的邊界的側面（26），以及

－具有凹處（55），其中介電層結構（5）借助該凹處（55）劃分為至少兩個獨立的部分區域（5A，5B）。

12.根據權利要求1所述的半導體芯片，其中介電層結構（5）借助凹處（55）劃分為內部的部分區域（5A）和外部的部分區域（5B），其中：

－在有源區（25）的背離接觸結構（6）的側上在半導體本體上設置另外的接觸結構（65），以及

－在半導體芯片的俯視圖中內部的部分區域（5A）與所述另外的接觸結構（65）交迭。

13.根據上述權利要求中的任一項所述的半導體芯片，其實施為LED芯片、RCLED芯片或者激光半導體芯片。