[發明專利]紫外線照射裝置

有效

• 申請號: 201210270200.X
• 申請日: 2012-07-31
• 公開（公告）號: CN102992447A
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發明（設計）人: 小林伸次;阿部法光;城田昭彥;竹內賢冶;相馬孝浩
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: C02F1/32
• 分類號: C02F1/32
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 戚宏梅;楊謙

1.一種紫外線照射裝置，其特征在于，具備：

處理槽，具有：給水口，接受作為處理對象的處理水；和排水口，將所述處理水排出；所述處理水沿從所述給水口朝向所述排水口的第一方向經過該處理槽；

紫外線照射構件，沿著與所述第一方向交叉的第二方向設置于所述處理槽內，對經過所述處理槽的所述處理水照射紫外線；以及

支撐構件，沿著所述第二方向設置于所述處理槽內，兩端部固定于所述處理槽的壁面，抑制所述處理槽的變形。

2.如權利要求1所述的紫外線照射裝置，其特征在于，

所述支撐構件在所述第一方向上設置于所述紫外線照射構件和所述排水口之間。

3.如權利要求1或2所述的紫外線照射裝置，其特征在于，

所述支撐構件為棒狀，所述支撐構件的外徑D₀滿足（式1），其中，

Vr＜1????…（式1）

換算流速（基準）：Vr＝U／（f_n×D₀）

平均基準流速：U＝Q_max／S_d

固有頻率：fn=(λ2)/(2πL2)× (EI/(m+mW))]]>

支撐構件的外徑：D₀

最大流速：Q_max

流路截面積：S_d

固有值：λ＝3.1415

支撐構件的材料的楊氏模量：E

截面二次力矩：I＝π／64（D₀⁴）

支撐構件的長度：L

每單位的質量：m＝Sρ_S

每單位的排除質量：m_W＝S_Wρ_W

支撐構件的截面積：S

支撐構件的密度：ρ_S

排除面積：S_W＝π（D₀／2）²

水密度：ρ_W。