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[發明專利]移位寄存器單元及其驅動方法、移位寄存器和顯示裝置有效

專利信息
申請號: 201210269029.0 申請日: 2012-07-30
公開(公告)號: CN102779478A 公開(公告)日: 2012-11-14
發明(設計)人: 吳仲遠 申請(專利權)人: 京東方科技集團股份有限公司
主分類號: G09G3/32 分類號: G09G3/32;G09G3/20
代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 代理人: 許靜;趙愛軍
地址: 100015 *** 國省代碼: 北京;11
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摘要:
搜索關鍵詞: 移位寄存器 單元 及其 驅動 方法 顯示裝置
【說明書】:

技術領域

發明涉及有機發光顯示領域,尤其涉及一種移位寄存器單元及其驅動方法、移位寄存器和顯示裝置。

背景技術

在有源驅動顯示(Active?Matrix?Display)中,各行的掃描線(scan?line)和各列的掃描線(data?line)交叉構成了一個有源矩陣。一般采用逐行掃描的方法,依次打開各行的門管,將數據線上的電壓寫入像素。在顯示背板上集成行掃描驅動電路,具有窄邊化、低成本的優勢,已經在大多數LCD/AMOLED顯示器件中采用。

目前制造顯示器件背板的工藝有很多種,如a-Si,LTPS,Oxide(氧化物)TFT等。a-Si工藝較成熟,成本低,但是a-Si?TFT具有遷移率低和穩定性差的缺點。LTPS?TFT速度快、穩定性好,但是均勻性差,成本高,還不適于大尺寸面板的制備。氧化物TFT遷移率較高,均勻性好,成本低,是未來最適合大尺寸面板顯示的技術,但是氧化物TFT的I-V轉移特性通常為耗盡型,即在氧化物TFT的柵源電壓Vgs為零時,其仍然導通。

耗盡型TFT(薄膜晶體管)給顯示器件背板集成移位寄存器帶來很大難度。圖1A是傳統的移位寄存器的結構圖,圖1A中所有的晶體管都是n型薄膜晶體管。如圖1A所示,傳統的移位寄存器包括第一輸出晶體管T1、第二輸出晶體管T2、控制T1的第一控制模塊11和控制T2的第二控制模塊12,每一級的移位寄存器的輸出端與下一級移位寄存器的輸入端連接,并交替通過兩個占空比為50%的時鐘信號CLK1、CLK2所控制,所有的輸入信號和控制信號擺幅為VGL~VGH,VGL為低電平,VGH為高電平。第一輸出晶體管T1與時鐘信號CLK2和輸出端OUT(n)連接,起到傳輸高電平的作用;第二輸出晶體管T2與輸出低電平VGL的低電平輸出端和輸出端OUT(n)連接,起到傳輸低電平的作用。

如圖1B所示,該移位寄存器的工作可以分三個階段:

第一個階段是預充電階段,當前一級移位寄存器的輸出端OUT(n-1)產生一個高電平脈沖時,控制PU點(與T1的柵極連接的節點,也即上拉節點)被充電至高電平VGH,同時控制PD點(與T2的柵極連接的節點,也即下拉節點)被放電至低電平VGL,此時T1導通,將CLK2的低電平傳至輸出端OUT(n),而T2關斷;

第二個階段為求值階段,在下一個時鐘周期,PU點變為浮空狀態,即與其相連的第一輸出控制模塊的晶體管都被關斷,沒有信號過來。CLK2從低電平變為高電平,隨著輸出電壓的上升,PU點電壓被連接在T1的柵極和輸出端OUT(n)之間的電容自舉到一個更高的電平,從而保證輸出端OUT(n)的輸出電壓沒有閾值損失,此時PD點保持為低電平,使T2關斷,防止輸出端OUT(n)輸出的高電平通過T2漏電;

第三個階段為復位階段,即再下一個時鐘周期,CLK2變為低電平,CLK1變為高電平,PU點被放電至低電平,PD點被重新充電至高電平,這時T1關斷,T2導通,輸出端OUT(n)的輸出電壓通過T2保持低電平。

由圖1B可知,PU點和PD點形成互反的關系,避免T1和T2同時導通造成輸出異常。

然而如果圖1A中的T1和T2為耗盡型晶體管,輸出則會產生較大的失真。首先,在求值階段,PU點電壓為高電平使T1管導通,PD點電壓雖然被放電至低電平VGL,但是由于T2的耗盡型特性,T2的Vgs雖然為0但仍不能正常關斷,產生漏電流,即T1和T2同時導通,則輸出端OUT(n)輸出的高電平取決于T1和T2的電阻分壓,通常會比正常所需高電平低很多,進而會影響下一級移位寄存器的正常工作,可能造成后級失效。其次,在復位階段,PU點電壓為低電平,PD點電壓為高電平,輸出端OUT(n)的輸出電壓為低電平,同時由于T1為耗盡型晶體管,T1始終導通,如果CLK2變為高電平,則輸出端OUT(n)的輸出電壓會產生高電平脈沖,其電位取決于T1和T2的電阻分壓。輸出端OUT(n)的輸出電壓的正常波形如圖1C中實線所示,輸出端OUT(n)的輸出電壓的失真后的波形如圖1C中虛線所示。

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