[發明專利]電子可編程熔絲空置有源區添加方法以及電子可編程熔絲

有效

• 申請號: 201210264372.6
• 申請日: 2012-07-27
• 公開（公告）號: CN102760720A
• 公開（公告）日: 2012-10-31
• 發明（設計）人: 俞柳江
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L23/525
• 分類號: H01L23/525;H01L21/768
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 陸花

1.一種電子可編程熔絲空置有源區添加方法，所述電子可編程熔絲包括：第一電極、第二電極以及多晶硅熔絲；其中，所述多晶硅熔絲布置在所述第一電極與所述第二電極之間，并且，所述多晶硅熔絲與所述第一電極以及所述第二電極連接；

其特征在于所述電子可編程熔絲空置有源區添加方法包括：在所述第一電極和所述第二電極之間區域的硅片中布置一個或多個附加空置有源區。

2.根據權利要求1所述的電子可編程熔絲空置有源區添加方法，其特征在于還包括在相鄰的附加空置有源區之間布置淺溝槽。

3.根據權利要求2所述的電子可編程熔絲空置有源區添加方法，其特征在于，所述多晶硅熔絲包括第一金屬硅化物部分和第二金屬硅化物部分；所述第一金屬硅化物部分和所述第二金屬硅化物部分均為金屬硅化物，其中所述第一金屬硅化物部分為附加空置有源區上方的金屬硅化物，所述第二金屬硅化物部分為所述淺溝槽上方的金屬硅化物。

4.根據權利要求1或2所述的電子可編程熔絲空置有源區添加方法，其特征在于，所述附加空置有源區和所述淺溝槽所構成的整體的上表面起伏不平，從而造成它們上方的由所述第一金屬硅化物部分和所述第二金屬硅化物部分組成的多晶硅熔絲表面也起伏不平。

5.根據權利要求1或2所述的電子可編程熔絲空置有源區添加方法，其特征在于，所述第一電極以及所述第二電極上布置有接觸孔。

6.一種根據權利要求1至5之一所述的電子可編程熔絲空置有源區添加方法制成的電子可編程熔絲，其特征在于包括：第一電極、第二電極以及多晶硅熔絲；其中，所述多晶硅熔絲布置在所述第一電極與所述第二電極之間，并且，所述多晶硅熔絲與所述第一電極以及所述第二電極連接；并且其中，在所述第一電極和所述第二電極之間區域的硅片中布置了一個或多個附加空置有源區。

7.根據權利要求6所述的電子可編程熔絲，其特征在于，在相鄰的附加空置有源區之間布置了淺溝槽。

8.根據權利要求7所述的電子可編程熔絲，其特征在于，所述多晶硅熔絲包括第一金屬硅化物部分和第二金屬硅化物部分；所述第一金屬硅化物部分和所述第二金屬硅化物部分均為金屬硅化物，其中所述第一金屬硅化物部分為附加空置有源區上方的金屬硅化物，所述第二金屬硅化物部分為所述淺溝槽上方的金屬硅化物。

9.根據權利要求6或7所述的電子可編程熔絲，其特征在于，所述附加空置有源區和所述淺溝槽所構成的整體的上表面起伏不平，從而造成它們上方的由所述第一金屬硅化物部分和所述第二金屬硅化物部分組成的多晶硅熔絲表面也起伏不平。

10.根據權利要求6或7所述的電子可編程熔絲，其特征在于，所述第一電極以及所述第二電極上布置有接觸孔。