[發明專利]一種片式熱敏電阻器及其制造方法

有效

• 申請號: 201210261091.5
• 申請日: 2012-07-26
• 公開（公告）號: CN102800449A
• 公開（公告）日: 2012-11-28
• 發明（設計）人: 陳杏良
• 申請（專利權）人: 東莞市東思電子技術有限公司
• 主分類號: H01C7/02
• 分類號: H01C7/02;H01C7/04;H01C1/14
• 代理公司: 東莞市華南專利商標事務所有限公司 44215
• 代理人: 李玉平

1.一種片式熱敏電阻器，包括基片，其特征在于：基片的上端面設有底層電極，底層電極的上端面設有熱敏電阻層，熱敏電阻層的上端面的兩側分別設有上層電極，所述熱敏電阻層的上端面的中部設有保護層，且保護層位于兩側的上層電極的中間。

2.根據權利要求1所述的一種片式熱敏電阻器，其特征在于：基片采用絕緣陶瓷基片。

3.一種如權利要求1或2所述的片式熱敏電阻器的制造方法，其特征在于：其包括以下步驟：

步驟1：運用厚膜成膜技術或薄膜成膜技術，在基片上形成底層電極；

步驟2：運用薄膜成膜技術，在底層電極的上面，形成熱敏電阻層；使用薄膜沉積工藝，將錳、鈷、鎳、銅、鐵、銀中的一種或其中幾種的合金，沉積在底層電極上，形成熱敏電阻層半成品；再將該半成品放入300至500℃的熱處理箱中進行熱處理，以形成具有電阻功能的熱敏電阻層；

步驟3：使用薄膜沉積工藝，將金、鈀、鉑、銀中的一種或其中幾種的合金，分別沉積在熱敏電阻層上端面的兩側上，并形成上層電極；

步驟4：運用厚膜成膜技術或薄膜成膜技術，在熱敏電阻層的上端面中間形成保護層，且保護層位于兩側的上層電極之間；其中保護層的材料是樹脂體系或硅的化合物體系。

4.根據權利要求3所述的一種片式熱敏電阻器的制造方法，其特征在于：步驟1之前還有：

步驟0：在基片上設置橫向劃槽和縱向劃槽，橫向劃槽和縱向劃槽將基片分隔成形狀、大小相同的基片單體；

步驟4之后還有：

步驟5：沿著基片上的橫向劃槽和縱向劃槽，將步驟5的產品分割成多個片式熱敏電阻器單體。

5.根據權利要求3所述的一種片式熱敏電阻器的制造方法，其特征在于：步驟5后還有：

步驟6：對片式熱敏電阻器單體進行性能測試，分選，包裝，入庫。

6.根據權利要求3所述的一種片式熱敏電阻器的制造方法，其特征在于：在步驟1采用厚膜成膜技術時，使用絲網印刷的方式，將金、鈀、鉑、銀中的一種或其中幾種的合金的導體漿料印刷在基片上，形成底層電極半成品；再將該半成品放入850℃高溫爐中烘烤，以形成具有導體功能膜層的底層電極。

7.根據權利要求3所述的一種片式熱敏電阻器的制造方法，其特征在于：在步驟1采用薄膜成膜技術時，使用薄膜沉積工藝，將金、鈀、鉑、銀中的一種或其中幾種的合金，或是將鎳、鉻中的一種或其合金，沉積在基片上形成具有導體功能膜層的底層電極。

8.根據權利要求6或7所述的一種片式熱敏電阻器的制造方法，其特征在于：在進行步驟1后，還需要進行：

步驟1.1：采用半導體工藝的光刻掩膜濕法蝕刻法、印刷掩膜濺射法、機械掩膜濺射法中的任何一種對底層電極進行圖形化。

9.根據權利要求3所述的一種片式熱敏電阻器的制造方法，其特征在于：步驟4使用厚膜成膜技術，保護層采用樹脂體系材料，使用絲網印刷的方式，將樹脂體系的漿料印刷在熱敏電阻層兩側的上層電極之間，形成保護層半成品；再將該半成品放入200℃低溫固化爐或固化箱中，進行低溫固化，以形成具有保護功能的保護層。

10.根據權利要求3所述的一種片式熱敏電阻器的制造方法，其特征在于：步驟4使用薄膜成膜技術，保護層的材料為硅的化合物，使用薄膜沉積工藝，將硅的化合物沉積在熱敏電阻層上形成具有保護功能的保護層。