[發(fā)明專(zhuān)利]集成調(diào)制器-激光器結(jié)構(gòu)及其生產(chǎn)方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210260696.2
• 申請(qǐng)日: 2006-09-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102790352A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-11-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 瑪茲·羅索;西蒙·科達(dá)特;方瑞雨;蓋德·艾伯特·羅格若
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 安華高科技光纖IP(新加坡)私人有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01S5/026
• 分類(lèi)號(hào): H01S5/026;H01S5/042
• 代理公司: 北京東方億思知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11258
• 代理人: 柳春雷

1.一種集成的調(diào)制器-激光器結(jié)構(gòu)，包括：

激光源(6)；

與所述激光源(6)集成的電吸收調(diào)制器(8)，其中，所述電吸收調(diào)制器包括：

襯底(10)；

n-InP緩沖層(26)，布置在所述襯底的上表面上；

多量子阱結(jié)構(gòu)(24)，布置在所述n-InP緩沖層上；

其他層結(jié)構(gòu)，包括包層(32)和觸點(diǎn)層(34)，布置在所述多量子阱結(jié)構(gòu)上；

局部半絕緣層島(14)，其具有上部、下部以及側(cè)部，所述側(cè)部在所述島的上部與下部之間延伸，所述多量子阱結(jié)構(gòu)與所述局部半絕緣島的側(cè)部接觸但不存在于所述局部半絕緣島的正下方；

電吸收調(diào)制器觸點(diǎn)焊盤(pán)(38、40)，所述觸點(diǎn)焊盤(pán)布置在所述其他層結(jié)構(gòu)上并位于所述局部半絕緣層島(14)上方，使得所述觸點(diǎn)焊盤(pán)對(duì)準(zhǔn)所述島并以所述島為中心。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述激光源(6)是分布反饋激光器。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述激光源包括觸點(diǎn)焊盤(pán)(36)，所述電吸收調(diào)制器的觸點(diǎn)焊盤(pán)與所述激光源的觸點(diǎn)焊盤(pán)(38、36)之間具有絕緣區(qū)域(44)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半絕緣層是Fe-InP層(14)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述結(jié)構(gòu)是垂直側(cè)壁脊形結(jié)構(gòu)的形式。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述結(jié)構(gòu)是倒脊形結(jié)構(gòu)的形式。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述其他層結(jié)構(gòu)還包括間隔層(28)、光柵層(30)、覆蓋層(31)和絕緣層(42)。

8.一種包括與激光源(6)集成的電吸收調(diào)制器(8)的結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)方法，所述方法包括：

形成所述激光源；

形成所述電吸收調(diào)制器，其中，所述電吸收調(diào)制器包括：

襯底(10)；

n-InP緩沖層(26)，布置在所述襯底的上表面上；

多量子阱結(jié)構(gòu)(24)，布置在所述n-InP緩沖層上；

其他層結(jié)構(gòu)，包括包層(32)和觸點(diǎn)層(34)，布置在所述多量子阱結(jié)構(gòu)上；

局部半絕緣層島(14)，其具有上部、下部以及側(cè)部，所述側(cè)部在所述島的上部與下部之間延伸，所述多量子阱結(jié)構(gòu)與所述局部半絕緣島的側(cè)部接觸但不存在于所述局部半絕緣島的正下方；

電吸收調(diào)制器觸點(diǎn)焊盤(pán)(38、40)，所述觸點(diǎn)焊盤(pán)布置在所述其他層結(jié)構(gòu)上并位于所述局部半絕緣層島(14)上方，使得所述觸點(diǎn)焊盤(pán)對(duì)準(zhǔn)所述島并以所述島為中心。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，形成所述激光源的步驟包括生產(chǎn)分布反饋激光器的的步驟。

10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的方法，其特征在于，它包括下列步驟：

為所述激光源提供接觸焊盤(pán)(38、36)，和

在所述電吸收調(diào)制器的接觸焊盤(pán)與所述激光源的接觸焊盤(pán)(38、36)之間生產(chǎn)絕緣區(qū)域(44)。

11.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的方法，其特征在于，它包括以Fe-InP層(14)的形式提供所述半絕緣層的步驟。

12.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述方法包括以垂直側(cè)壁脊形結(jié)構(gòu)的形式提供所述集成結(jié)構(gòu)的步驟。

13.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述方法包括以倒脊形結(jié)構(gòu)的形式提供所述集成結(jié)構(gòu)的步驟。

14.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述其他層結(jié)構(gòu)還包括間隔層(28)、光柵層(30)、覆蓋層(31)和絕緣層(42)。