[發(fā)明專利]集成芯片引線框架環(huán)島鍍裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210259799.7 | 申請(qǐng)日: | 2012-07-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102820231A | 公開(公告)日: | 2012-12-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳重陽(yáng);褚華波;徐成 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 浙江捷華電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/48 | 分類號(hào): | H01L21/48 |
| 代理公司: | 杭州杭誠(chéng)專利事務(wù)所有限公司 33109 | 代理人: | 林寶堂 |
| 地址: | 315464 浙江省寧波*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 集成 芯片 引線 框架 環(huán)島 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于集成芯片引線框架鍍覆技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種集成芯片引線框架環(huán)島鍍裝置。
背景技術(shù)
集成芯片引線框架包括包括位處中心的芯片島和外圍的一批引腳,在芯片島的周邊需要鍍銀,將芯片的電極與引腳電連接,現(xiàn)有技術(shù)的集成芯片引線框架鍍覆工藝采用單件鍍覆,功效底時(shí)間費(fèi)而且材料浪費(fèi)多,較好的也只是采用4件陣列一起鍍覆。
例如中國(guó)專利號(hào)ZL201020168203.9,名稱為“陣列式環(huán)島鍍引線框架版件”的實(shí)用新型專利,公開一種陣列式環(huán)島鍍引線框架版件,克服現(xiàn)有同類產(chǎn)品制造過程中邊角料比重高、材料成本居高不下的缺陷。它由每列包含多個(gè)相同引線框架的基本單元經(jīng)上下兩側(cè)的邊帶橫向連續(xù)排列而成;所述引線框架包括芯片島和多個(gè)導(dǎo)腳,所述導(dǎo)腳在靠近所述芯片島的根部設(shè)有鍍銀焊區(qū),所述鍍銀焊區(qū)圍繞于所述芯片島的四周呈矩形設(shè)置;縱向相鄰的所述引線框架由設(shè)于其上下兩側(cè)的筋片互相連接;所述芯片島背面均布有規(guī)則排列的凹坑。所述導(dǎo)腳在靠近封裝框線內(nèi)側(cè)邊緣的正反表面,分別設(shè)有正面防水槽和背面防水槽。這種結(jié)構(gòu)采用在一個(gè)版面上陣列若干個(gè)引線框架,其對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)的改進(jìn)其實(shí)非常小,依然存在功效低、時(shí)間費(fèi)而且材料浪費(fèi)多的缺陷,尤其是包括上述專利的現(xiàn)有技術(shù)對(duì)于工件的非鍍區(qū)域是采用樹脂涂蓋于以屏蔽,這種工藝更是無法適應(yīng)批量流水作業(yè)的環(huán)島周圍鍍覆的需要。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明需要解決的技術(shù)問題是,克服現(xiàn)有技術(shù)的集成芯片引線框架鍍覆功效底時(shí)間費(fèi)而且材料浪費(fèi)多,非鍍區(qū)域采用樹脂涂蓋效率低的缺陷,提供一種流水作業(yè)、大批量同時(shí)鍍覆的集成芯片引線框架鍍覆裝備,這種裝備效率高、材料省、工件的綜合成本低。
本發(fā)明的目的是通過下述技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn)的:一種集成芯片引線框架環(huán)島鍍裝置,包括支架和傳動(dòng)裝置,支架上設(shè)有鍍具,其特征是,鍍具由鍍輪和膠粒組成,鍍輪為圓環(huán)形結(jié)構(gòu),其外周面有兩道凸出的環(huán)形靠肩,兩道環(huán)形靠肩之間的環(huán)面上均布有若干個(gè)內(nèi)外通透的膠粒座孔,膠粒座孔的上端面有方形沉孔,膠粒座孔的底部與兩道環(huán)形靠肩接近的部位對(duì)稱設(shè)有兩個(gè)膠粒插腳通孔,膠粒座孔中配有膠粒,膠粒的中間有上下通透的鍍孔,鍍孔為方形的環(huán)形槽結(jié)構(gòu),環(huán)形槽結(jié)構(gòu)的內(nèi)部有島,島與環(huán)形槽結(jié)構(gòu)的外部通過若干道橋相連接,橋的底部有橋孔,橋孔朝向環(huán)形槽結(jié)構(gòu)的上端面,膠粒的下底部有對(duì)稱設(shè)置的兩根插腳,插腳與所述膠粒插腳通孔配合;鍍輪的內(nèi)部設(shè)有噴頭,噴頭的噴口對(duì)著鍍輪圓環(huán)形結(jié)構(gòu)的內(nèi)表面。
將呈帶狀的集成芯片引線框架經(jīng)傳動(dòng)裝置牽引并包裹在鍍輪的外周,集成芯片引線框架的兩側(cè)邊卡在鍍輪的兩道凸出的環(huán)形靠肩之間,集成芯片引線框架的芯片島對(duì)準(zhǔn)膠粒中間的鍍孔,柔性的膠粒就可自動(dòng)將集成芯片引線框架的非鍍區(qū)域遮蓋屏蔽,此時(shí)因?yàn)闃虻牡紫掠袠蚨纯杀3汁h(huán)形槽處于整體連通的狀態(tài);鍍輪的軸線為水平設(shè)置,依靠外部牽引帶的帶動(dòng)并由傳動(dòng)輪支撐轉(zhuǎn)動(dòng),噴頭設(shè)在鍍輪內(nèi)部,噴液通過環(huán)形槽噴向裹在鍍輪外周面的芯片引線框架,對(duì)芯片引線框架非屏蔽部位進(jìn)行鍍覆,帶狀的集成芯片引線框架貼在鍍輪上并隨鍍輪轉(zhuǎn)動(dòng),當(dāng)鍍輪轉(zhuǎn)動(dòng)將近一周時(shí)芯片引線框架離開鍍輪,由另一端引出,芯片引線框架的環(huán)島鍍即告完成。
作為優(yōu)選,所述環(huán)形槽結(jié)構(gòu)為正方形結(jié)構(gòu),膠粒的外周為與環(huán)形槽結(jié)構(gòu)適配的正方形結(jié)構(gòu)。
作為優(yōu)選,所述橋設(shè)在正方形各邊的中點(diǎn)部位。
作為優(yōu)選,傳動(dòng)裝置包括芯片引線傳動(dòng)輪,芯片引線傳動(dòng)輪的兩端部設(shè)有擋邊,擋邊之間的距離等于或略大于鍍輪的寬度。
作為優(yōu)選,所述膠粒插腳的長(zhǎng)度大于所述圓環(huán)形結(jié)構(gòu)的斷面厚度的兩倍。
作為優(yōu)選,噴頭為半個(gè)圓柱形的結(jié)構(gòu),其內(nèi)部為空腔,其端面設(shè)有連接輸送鍍液的輸送泵的管接頭,其外圓面設(shè)有噴口;噴頭通過支軸與支架固定連接。
作為優(yōu)選,所述噴口由噴頭外圓面沿軸向設(shè)置的相鄰的條板之間的縫隙構(gòu)成
作為優(yōu)選,膠粒座孔設(shè)有48個(gè),各相鄰的膠粒座孔的中心位置度公差值為±2微米。
本發(fā)明的有益效果是:
1、設(shè)有橋既可連接模具的島又可連通環(huán)形槽,簡(jiǎn)化模具;
2、應(yīng)用柔性的膠粒封蓋屏蔽和隔離芯片引線框架的非鍍覆區(qū)域,工藝簡(jiǎn)便;
3、圓環(huán)形的鍍輪可實(shí)現(xiàn)流水作業(yè)效率高。
附圖說明
圖1是本發(fā)明一種實(shí)施例的鍍具結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2是本發(fā)明一種實(shí)施例的鍍輪與膠粒配合立體示意圖;
圖3膠粒結(jié)構(gòu)立體示意圖;
圖4是膠粒結(jié)構(gòu)圖的俯視示意圖;
圖5是圖4的A-A處剖視示意圖;
圖6是連接成帶狀的集成芯片引線框架示意圖。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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