[發明專利]用于封裝芯片的鈍化層

有效

• 申請號: 201210258782.X
• 申請日: 2012-07-24
• 公開（公告）號: CN103151329A
• 公開（公告）日: 2013-06-12
• 發明（設計）人: 鄭心圃;吳偉誠;侯上勇;余振華;劉醇鴻;邱志威;許國經
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L21/48
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種封裝的集成電路(IC)芯片，包括：

金屬凸塊，形成在金屬焊盤上方；

測試焊盤，其中，所述測試焊盤電連接至所述封裝的集成電路芯片中的器件；

第一鈍化層，位于所述測試焊盤的一部分和所述金屬凸塊的一部分上方，其中，所述第一鈍化層限定所述測試焊盤的測試區和所述金屬凸塊的凸塊形成區；以及

第二鈍化層，覆蓋所述測試焊盤的表面和圍繞所述測試焊盤的所述測試區的所述第一鈍化層的一部分。

2.根據權利要求1所述的封裝的IC芯片，其中，所述第二鈍化層覆蓋所述金屬焊盤的邊緣并且位于所述金屬凸塊的一部分下方。

3.根據權利要求1所述的封裝的IC芯片，其中，覆蓋所述測試焊盤的表面的所述第二鈍化層的邊緣到所述測試焊盤的邊緣之間的距離在從約2μm至約15μm范圍內。

4.根據權利要求2所述的封裝的IC芯片，其中，所述第二鈍化層的所述邊緣到所述金屬凸塊的邊緣之間的距離等于或大于約0.1μm。

5.根據權利要求1所述的封裝的IC芯片，其中，所述第二鈍化層不覆蓋遠離所述測試焊盤和所述金屬凸塊的所述封裝的IC芯片的表面。

6.根據權利要求1所述的封裝的IC芯片，其中，所述測試焊盤和所述金屬焊盤物理連接。

7.根據權利要求1所述的封裝的IC芯片，其中，所述測試焊盤和所述金屬焊盤在相同金屬層上。

8.根據權利要求1所述的封裝的IC芯片，其中，在所述金屬凸塊和所述金屬焊盤之間存在凸塊底部金屬化(UBM)層。

9.一種封裝的集成電路(IC)芯片，包括：

金屬凸塊，形成在金屬焊盤上方；

測試焊盤，其中，所述測試焊盤電連接至所述封裝的集成電路芯片中的器件；

第一鈍化層，位于所述測試焊盤的一部分和所述金屬凸塊的一部分上方，其中，所述第一鈍化層限定所述測試焊盤的測試區和所述金屬凸塊的凸塊形成區；以及

第二鈍化層，覆蓋所述測試焊盤的表面和圍繞所述測試焊盤的所述測試區的所述第一鈍化層的一部分，其中，覆蓋所述測試焊盤的表面的所述第二鈍化層的邊緣到所述測試焊盤的邊緣之間的距離在從約2μm至約15μm的范圍內。

10.一種形成封裝的集成電路(IC)芯片的方法，包括：

在基板上方形成金屬層，其中，所述基板具有集成電路和互連件，并且其中，所述基板是所述封裝的IC芯片的一部分，并且其中，所述互連件提供所述集成電路和所述金屬層之間的電連接；

在所述金屬層上方形成第一鈍化層，其中，所述第一鈍化層限定測試焊盤區和金屬焊盤區，并且其中，所述金屬焊盤區用于形成金屬凸塊；

在所述第一鈍化層上方形成第二鈍化層，其中，所述第二鈍化層有限地覆蓋所述測試焊盤區和所述金屬焊盤區的一部分，其中，所述第二鈍化層不覆蓋遠離所述測試焊盤區和所述金屬焊盤區的表面；

在所述基板上方形成凸塊底部金屬化(UBM)層，其中，所述UBM層與所述金屬焊盤區的至少一部分接觸，并且其中，所述UBM層包括擴散勢壘層，并且其中，通過濺射工藝沉積所述擴散勢壘層；以及

在所述UBM層上方形成金屬凸塊，其中，所述金屬凸塊位于所述金屬焊盤區上方。