[發明專利]存儲器陣列及電子設備

有效

• 申請號: 201210258473.2
• 申請日: 2012-07-24
• 公開（公告）號: CN102768855A
• 公開（公告）日: 2012-11-07
• 發明（設計）人: 胡劍;楊光軍
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G11C16/02
• 分類號: G11C16/02;G11C16/06
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種存儲器陣列，其特征在于：包括多個成陣列排布的存儲器單元，所述各存儲器單元包含多條互相平行的位線、以及平行排列于位線上且與所述位線垂直的字線，每條位線在列方向上連接各存儲器單元的源極或漏極，每條字線在行方向上連接各存儲器單元的柵極；其中，

所述存儲器單元的柵極包括雙柵結構及位于雙柵結構之間的選擇柵，所述雙柵結構并列排布于襯底上。

2.如權利要求1所述的存儲器陣列，其特征在于：所述雙柵結構包括第一存儲位柵極和第二存儲位柵極。

3.如權利要求2所述的存儲器陣列，其特征在于：所述存儲位柵極包括位于襯底上的控制柵、位于控制柵上的浮柵，所述控制柵和浮柵之間具有氧化層。

4.如權利要求1所述的存儲器陣列，其特征在于：所述字線在行方向上連接各存儲器單元的選擇柵。

5.如權利要求1所述的存儲器陣列，其特征在于：位于同一列的存儲器單元的源極或漏極通過第一金屬層相連。

6.如權利要求3所述的存儲器陣列，其特征在于：位于同一行的存儲器單元的控制柵或字線通過第二金屬層相連。

7.如權利要求3所述的存儲器陣列，其特征在于：在對所述存儲器陣列中一存儲器單元的控制柵施加0V電壓，對所述存儲器單元的字線施加2.5V~3.5V電壓，對所述存儲器單元的源極施加0V電壓，對所述存儲器單元的漏極施加0.5V~1V電壓的情況下，對所述存儲器單元進行讀取操作。

8.如權利要求3所述的存儲器陣列，其特征在于：在對所述存儲器陣列中一存儲器單元的控制柵施加-6V～-8V電壓，對所述存儲器單元的字線施加7V~9V電壓，對所述存儲器單元的源極施加0V電壓，對所述存儲器單元的漏極施加0V電壓的情況下，對所述存儲器單元進行擦除操作。

9.如權利要求3所述的存儲器陣列，其特征在于：在對所述存儲器陣列中一存儲器單元的控制柵施加7V~9V電壓，對所述存儲器單元的字線施加1.3V~1.8V電壓，對所述存儲器單元的源極施加4V~6V電壓，對所述存儲器單元的漏極施加0.1V~0.6V電壓的情況下，對所述存儲器單元進行編程操作。

10.一種電子設備，其特征在于：配置了如權利要求1至9所述任一種存儲器陣列。