[發明專利]一種SOI硅片的制備方法有效
| 申請號： | 201210257908.1 | 申請日： | 2012-07-24 |
| 公開（公告）號： | CN102832160A | 公開（公告）日： | 2012-12-19 |
| 發明（設計）人： | 何自強;柳清超;李捷 | 申請（專利權）人： | 沈陽硅基科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/762 | 分類號： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 沈陽科苑專利商標代理有限公司 21002 | 代理人： | 許宗富;周秀梅 |
| 地址： | 110179 遼寧省沈陽*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 soi 硅片 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種SOI硅片的制備方法，其特征在于：該方法針對利用熱微波切割法獲得的SOI硅片，采用無水HCl化學刻蝕去除SOI損傷層和減小粗糙度，獲得高質量的SOI硅片。
2.根據權利要求1所述的SOI硅片的制備方法，其特征在于：所述無水HCl化學刻蝕包括如下步驟：
1）將SOI硅片裝入密封反應室；
2）反應室中通入氫氣加熱10~60秒以除去硅片表面氧化層；
3）經步驟2）處理的硅片置于無水HCl氣氛中刻蝕其表面的硅層；其中，刻蝕溫度800~1200℃，刻蝕時間5~120秒；
4）反應室中通入氫氣，除去反應室中的雜質及殘余HCl后，自然冷卻至室溫；
5）反應室中通入氮氣，除去其中的氫氣后取出硅片。
3.根據權利要求1或2所述的SOI硅片的制備方法，其特征在于：硅片表面刻蝕掉50nm~500nm的薄層。
4.根據權利要求2所述的SOI硅片的制備方法，其特征在于：所述步驟3）中無水HCl氣體的純度>99.999％。
5.根據權利要求2所述的SOI硅片的制備方法，其特征在于：步驟3）中無水HCl氣體流速0.3~20升/分鐘。
6.根據權利要求2所述的SOI硅片的制備方法，其特征在于：步驟2）中氫氣流速30~100升/分鐘，加熱溫度1000～1200℃。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
