[發明專利]有機發光像素的結構、制作方法以及驅動電路

有效

• 申請號: 201210256888.6
• 申請日: 2012-07-23
• 公開（公告）號: CN102779832A
• 公開（公告）日: 2012-11-14
• 發明（設計）人: 陳怡倩;林雨仙;蔡宗廷
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L21/77;G09G3/32
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮

1.一種有機發光像素結構，其特征在于，包括：

一掃描線；

一數據線，與該掃描線相交；

一電源線，與該掃描線相交；

一定電壓線，與該數據線相交；

一第一晶體管，電性連接至該掃描線以及該數據線；

一第二晶體管，電性連接至該電源線以及該第一晶體管；

一像素電極，電性連接至該第二晶體管；

一有機發光單元，配置于該像素電極上；

一第一電容電極，電性連接至該第二晶體管與該第一晶體管，該第一電容電極與該像素電極彼此重疊；以及

一第二電容電極，電性連接至該定電壓線，該第二電容電極與該像素電極彼此重疊，且該第二電容電極夾于該第一電容電極與該像素電極之間，使得該第一電容電極與該第二電容電極構成一第一電容而該第二電容電極與該像素電極構成一第二電容，其中該第一電容大于該第二電容。

2.如權利要求1所述的有機發光像素結構，其特征在于，該第一電容電極的材質包括半導體材料。

3.如權利要求1所述的有機發光像素結構，其特征在于，該第一電容電極包括一摻雜部以及一未摻雜部，該未摻雜部實質上被該第二電容電極遮蔽而該摻雜部實質上位于該未摻雜部周邊并連接于該第二晶體管與該第一晶體管。

4.如權利要求1所述的有機發光像素結構，其特征在于，該掃描線、該定電壓線以及該第二電容電極由相同膜層構成。

5.如權利要求1所述的有機發光像素結構，其特征在于，該第一電容電極的材質相同于該第一晶體管的一通道區以及該第二晶體管的一通道區。

6.如權利要求1所述的有機發光像素結構，其特征在于，該第一晶體管具有一第一電極、一第二電極與一第三電極，該第一電極電性連接該數據線，該第二電極電性連接該掃描線。

7.如權利要求6所述的有機發光像素結構，其特征在于，該第二晶體管具有一第一電極、一第二電極與一第三電極，該第一電極電性連接該電源線，該第二電極電性連接該第一晶體管的該第三電極以及該第一電容電極，該第三電極電性連接該像素電極。

8.如權利要求1所述的有機發光像素結構，其特征在于，該第一晶體管以及該第二晶體管為P型晶體管時，該定電壓線所傳遞的一固定電壓為負偏壓。

9.如權利要求1所述的有機發光像素結構，其特征在于，該第一晶體管以及該第二晶體管為N型晶體管時，該定電壓線所傳遞的一固定電壓為正偏壓。

10.一種有機發光像素結構的制作方法，其特征在于，包括：

于一基板上形成一圖案化半導體層，該圖案化半導體層包括一第一半導體圖案區塊、一第二半導體圖案區塊以及一第三半導體圖案區塊；

于該基板上形成一第一絕緣層覆蓋該圖案化半導體層；

于該第一絕緣層上形成一第一圖案化導體層，該第一圖案化導體層包括一第一柵極、一第二柵極以及一第二電容電極，其中該第一柵極、該第二柵極以及該第二電容電極分別位于該第一半導體圖案區塊、該第二半導體圖案區塊以及該第三半導體圖案區塊上方；

以該第一圖案化導體層為掩膜對該圖案化半導體層未被遮蔽的部分進行一摻雜工藝，使該第一半導體圖案區塊具有一第一通道區、一第一源極區以及一第一漏極區，該第二半導體圖案區塊具有一第二通道區、一第二源極區以及一第二漏極區，且該第三半導體圖案區塊具有一摻雜區以及一未摻雜區，其中該第三半導體圖案區塊作為一第一電容電極；

形成一第二絕緣層于該第一圖案化導體層上；

在該第一絕緣層以及該第二絕緣層上分別形成多個第一接觸窗以及多個第二接觸窗，其中該些第一接觸窗連通于部分該些第二接觸窗而構成暴露出該第一源極區、該第一漏極區、該第二源極區、該第二漏極區以及該摻雜區的多個接觸開口；

于該第二絕緣層上形成一第二圖案化導體層，該第二圖案化導體層包括一像素電極以及分別連接于該第一源極區、該第一漏極區、該第二源極區以及該第二漏極區的一第一源極導體、一第一漏極導體、一第二源極導體以及一第二漏極導體，且該像素電極連接于該第二漏極導體；以及

形成一有機發光單元于該像素電極上。