[發明專利]一種原位氧化提高硅納米線陣列場發射性能的方法有效
| 申請號： | 201210256049.4 | 申請日： | 2012-07-24 |
| 公開（公告）號： | CN102856141A | 公開（公告）日： | 2013-01-02 |
| 發明（設計）人： | 楊亞軍;劉憲云;蔣美萍;謝建生;吉高峰;曹先勝 | 申請（專利權）人： | 常州大學 |
| 主分類號： | H01J9/02 | 分類號： | H01J9/02;H01J1/304;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京經緯專利商標代理有限公司 32200 | 代理人： | 樓高潮 |
| 地址： | 213164 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 原位 氧化 提高 納米 陣列 發射 性能 方法 | ||
1.一種原位氧化提高硅納米線陣列場發射性能的方法，包括如下步驟：
1）選用單晶硅片，分別用丙酮、乙醇和去離子水超聲清洗，去除表面雜質；
2）用HF和?AgNO3按比例配制腐蝕液，并裝入聚四氟乙烯瓶內，將硅片浸沒在腐蝕液中，然后將聚四氟乙烯瓶放入烘箱內恒溫加熱；
3）腐蝕結束后將硅片取出，用去離子水清洗，用HNO3浸泡硅片，用于去除硅片表面包覆的?Ag，在硅片表面得到?Si納米線陣列；
4）將硅片放入陶瓷舟內，然后將陶瓷舟放入水平管式爐中心溫區處，通入氧氣，并升溫加熱，Si納米線陣列表面形成一層氧化層，Si納米線陣列轉化為SiOx包覆的Si納米線芯殼結構陣列。
2.如權利要求1所述的一種原位氧化提高硅納米線陣列場發射性能的方法，其特征在于：在步驟1）中，所述單晶硅片是指n型單晶硅片，<100>晶向，單面拋光，電阻率0.004Ωcm；所述用丙酮、乙醇和去離子水超聲清洗時間分別為10min。
3.如權利要求1所述的一種原位氧化提高硅納米線陣列場發射性能的方法，其特征在于：在步驟2）中，所述腐蝕液是指5M的HF和0.02M的AgNO3；所述烘箱內恒溫加熱是指50℃加熱90min。
4.如權利要求1所述的一種原位氧化提高硅納米線陣列場發射性能的方法，其特征在于：在步驟3）中，所述HNO3是指濃硝酸；所述浸泡時間為1min。
5.如權利要求1所述的一種原位氧化提高硅納米線陣列場發射性能的方法，其特征在于：在步驟4）中，所述氧氣的流量為30cm3/min；所述升溫加熱是指管式爐在15min內升溫至300℃，并保溫8h。
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