[發(fā)明專利]非晶硅膜的成膜方法及成膜裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210251656.1
• 申請日: 2012-07-19
• 公開（公告）號: CN102891075A
• 公開（公告）日: 2013-01-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 柿本明修;高木聰;五十嵐一將
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01L21/20
• 分類號: H01L21/20;H01L21/3065
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

1.一種非晶硅膜的成膜方法，其用于在基底上形成包括非晶硅膜的膜，其特征在于，

該非晶硅膜的成膜方法包括以下工序：

（1）加熱上述基底，向上述加熱了的基底供給氨基硅烷類氣體，在上述基底表面上形成晶種層；

（2）加熱上述基底，向上述加熱了的基底表面的晶種層供給不含氨基的硅烷類氣體，在上述晶種層上將非晶硅膜形成為層成長的厚度；

（3）對形成為上述層成長的厚度的上述非晶硅膜進(jìn)行蝕刻，減小該非晶硅膜的膜厚。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非晶硅膜的成膜方法，其特征在于，

在上述（1）工序與（2）工序之間還包括以下工序：

（4）對形成有上述晶種層的基底進(jìn)行加熱，向上述晶種層的表面供給比在上述（2）工序中使用的硅烷類氣體高級的硅烷類氣體。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非晶硅膜的成膜方法，其特征在于，

上述蝕刻為各向同性蝕刻。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的非晶硅膜的成膜方法，其特征在于，

上述各向同性蝕刻為干蝕刻。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的非晶硅膜的成膜方法，其特征在于，

上述干蝕刻的蝕刻劑至少含有Cl₂氣體、F₂氣體、ClF₃氣體中的一種氣體。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非晶硅膜的成膜方法，其特征在于，

在同一處理室內(nèi)連續(xù)進(jìn)行上述（2）工序和上述（3）工序。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非晶硅膜的成膜方法，其特征在于，

上述氨基硅烷類氣體從含有BAS（丁基氨基硅烷）、BTBAS（雙叔丁基氨基硅烷）、DMAS（二甲氨基硅烷）、BDMAS（雙（二甲氨基）硅烷）、TDMAS（三（二甲氨基）硅烷）、DEAS（二乙基氨基硅烷）、BDEAS（雙（二乙基氨基）硅烷）、DPAS（二丙基氨基硅烷）、DIPAS（二異丙基氨基硅烷）中至少一種的氣體中進(jìn)行選擇，

上述不含氨基的硅烷類氣體從含有用SiH₄、Si₂H₆、Si_mH_2m+2式表示的硅的氫化物及用Si_nH_2n式表示的硅的氫化物中至少一種的氣體中進(jìn)行選擇，其中，m、n為3以上的自然數(shù)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的非晶硅膜的成膜方法，其特征在于，

上述用Si_mH_2m+2式表示的硅的氫化物從丙硅烷（Si₃H₈）、丁硅烷（Si₄H₁₀）、戊硅烷（Si₅H₁₂）、己硅烷（Si₆H₁₄）、庚硅烷（Si₇H₁₆）中的至少一種硅烷中進(jìn)行選擇，其中，m為3以上的自然數(shù)，

上述用Si_nH_2n式表示的硅的氫化物從環(huán)丙硅烷（Si₃H₆）、環(huán)丁硅烷（Si₄H₈）、環(huán)戊硅烷（Si₅H₁₀）、環(huán)己硅烷（Si₆H₁₂）、環(huán)庚硅烷（Si₇H₁₄）中的至少任意一種硅烷中進(jìn)行選擇，其中，n為3以上的自然數(shù)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非晶硅膜的成膜方法，其特征在于，

上述非晶硅膜的成膜方法用于半導(dǎo)體裝置的制造工藝。

10.一種成膜裝置，其用于在基底上形成非晶硅膜，其特征在于，

該非晶硅膜的成膜裝置具有：處理室，其用于收容被處理體，該被處理體具有供上述非晶硅膜形成的基底；處理氣體供給機(jī)構(gòu)，其用于向上述處理室內(nèi)供給處理所使用的氣體；加熱裝置，其用于對收容在上述處理室內(nèi)的上述被處理體進(jìn)行加熱；排氣機(jī)構(gòu)，其用于對上述處理室內(nèi)進(jìn)行排氣；控制器，其用于控制上述處理氣體供給機(jī)構(gòu)、上述加熱裝置及上述排氣機(jī)構(gòu)，

上述控制器控制上述成膜裝置，以便依次實施權(quán)利要求1所述的（1）工序、（2）工序及（3）工序。