[發明專利]一種改進的可控硅結構及其生產工藝

有效

• 申請號: 201210248864.6
• 申請日: 2012-07-18
• 公開（公告）號: CN102790083A
• 公開（公告）日: 2012-11-21
• 發明（設計）人: 耿開遠;周建;朱法揚
• 申請（專利權）人: 啟東吉萊電子有限公司
• 主分類號: H01L29/74
• 分類號: H01L29/74;H01L29/06;H01L21/332
• 代理公司: 南京正聯知識產權代理有限公司 32243
• 代理人: 盧海洋

1.一種改進的可控硅結構，包括臺面槽、穿通環、長基區、正面短基區、背面短基區、陰極區和門極區，所述穿通環設于長基區的四周，其特征在于：所述陰極區和門極區之間開有陰極門極間槽，所述陰極門極間槽內填充有玻璃粉。

2.生產如權利要求1所述的一種改進的可控硅結構的生產工藝，包括雙面拋光片步驟、氧化步驟、光刻穿通步驟、穿通擴散步驟、短基區擴散步驟、光刻陰極步驟、陰極擴散步驟、光刻臺面槽步驟、化學腐蝕臺面槽步驟、光刻引線孔步驟、正面蒸鋁步驟、鋁反刻步驟、鋁合金步驟、背面噴砂步驟、背面金屬化步驟、芯片測試步驟、劃片步驟和芯片包裝步驟，其特征在于：在化學腐蝕臺面槽步驟和光刻引線步驟之間增加了光刻陰極門極間槽步驟、化學腐蝕陰極門極間槽步驟和玻璃鈍化步驟，

所述光刻陰極門極間槽步驟為：常規涂膠，前烘，光刻陰極門極間槽，使用單面光刻機，使用陰極門極間槽光刻板對準曝光，正常顯影；

所述化學腐蝕陰極門極間槽的步驟為：采用腐蝕液腐蝕陰極門極間槽，所述腐蝕液按照冰乙酸:HF:HNO₃：=1.5:3:10的質量比例配置而成，?腐蝕液溫度：0℃，腐蝕槽深：5-10μm；

??所述玻璃鈍化步驟為：用GP370玻璃粉刮涂陰極門極間槽，溫度為760±20℃，時間為25±5min。