[發明專利]有機電致發光器件及其制備方法無效
| 申請號: | 201210247435.7 | 申請日: | 2012-07-17 |
| 公開(公告)號: | CN103545456A | 公開(公告)日: | 2014-01-29 |
| 發明(設計)人: | 周明杰;王平;鐘鐵濤;陳吉星 | 申請(專利權)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/54 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 何平;生啟 |
| 地址: | 518100 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 電致發光 器件 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種有機電致發光器件及其制備方法。
背景技術
有機電致發光器件(OLED)是基于有機材料的一種電流型半導體發光器件。其典型結構是在ITO玻璃上制作一層幾十納米厚的有機發光材料作發光層,發光層上方有一層低功函數的金屬電極。當電極上加有電壓時,發光層就產生光輻射。
有機電致發光器件受到濕氣和潮氣侵蝕后,會引起有機電致發光器件內部元件的材料發生老化進而失效,從而所述有機電致發光器件的壽命較短。
發明內容
基于此,有必要提供一種壽命較長的有機電致發光器件及其制備方法。
一種有機電致發光器件,包括依次層疊的導電基底、發光層、陰極、保護層、阻擋層及封裝蓋,保護層的材料為酞菁銅、N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-聯苯-4-4′-二胺、8-羥基喹啉鋁、氧化硅、氟化鎂或硫化鋅,阻擋層包括依次層疊的第一氟化物膜、第二氟化物膜及有機阻擋膜,第一氟化物膜的材料為AlF3:H、HfF4:H、ZrF4:H、LiF:H、CeF2:H或YF3:H,第二氟化物膜的材料為AlF3、HfF4、ZrF4、LiF、CeF2或YF,有機阻擋膜的材料為聚四氟乙烯、甲基丙烯酸酯樹脂或脂肪族環氧樹脂;封裝蓋將發光層、陰極、保護層及阻擋層封裝于導電基底上,封裝蓋的材料為PET鍍鋁膜。
在其中一個實施例中,所述第一氟化物膜采用反應濺射制備,所述第二氟化物膜采用非反應濺射制備。
在其中一個實施例中,所述阻擋層為3個~5個,多個所述阻擋層依次層疊。
在其中一個實施例中,所述封裝蓋與所述導電基底配合形成有收容腔,所述發光層、陰極、保護層及阻擋層均收容于所述收容腔。
一種有機電致發光器件的制備方法,包括以下步驟:
在導電基底上形成發光層;
在所述發光層上形成陰極;
在所述陰極上形成保護層,所述保護層的材料為酞菁銅、N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-聯苯-4-4′-二胺、8-羥基喹啉鋁、氧化硅、氟化鎂或硫化鋅;
在所述保護層上形成阻擋層,所述阻擋層包括依次層疊的第一氟化物膜、第二氟化物膜及有機阻擋膜,所述第一氟化物膜的材料為AlF3:H、HfF4:H、ZrF4:H、LiF:H、CeF2:H或YF3:H,所述第二氟化物膜的材料為AlF3、HfF4、ZrF4、LiF、CeF2或YF,所述有機阻擋膜的材料為聚四氟乙烯、甲基丙烯酸酯樹脂或脂肪族環氧樹脂;及
使用封裝蓋將所述發光層、陰極、保護層及阻擋層封裝于所述導電基底上,所述封裝蓋的材料為PET鍍鋁膜。
在其中一個實施例中,通過涂布封裝膠使所述封裝蓋與所述導電基底密封連接以將所述發光層、陰極、保護層及阻擋層封裝于所述導電基底上。
在其中一個實施例中,所述阻擋層為3個~5個,多個所述阻擋層依次層疊。
在其中一個實施例中,所述第一氟化物膜采用反應濺射制備,本底真空度為1×10-3Pa~1×10-4Pa,靶材為Al、Hf、Zr、Li、Ce或Y,通入氣體為由三氟甲烷和氬氣混合形成的混合氣體,其中混合氣體中三氟甲烷的體積百分含量為3%~17%。
在其中一個實施例中,所述第二氟化物膜采用非反應濺射制備,本底真空度為1×10-3Pa~1×10-4Pa,靶材為AlF3、HfF4、ZrF4、LiF、CeF2或YF,通入氣體為氬氣。
上述有機電致發光器件及其制備方法,保護層可以保護陰極,避免陰極在后續的制備工藝中受破壞,阻擋層的第一氟化物膜、第二氟化物膜及有機阻擋膜可以有效的阻擋水氣的腐蝕;封裝蓋采用PET鍍鋁膜可有效的提高防水氧能力,從而有機電致發光器件的壽命較長。
附圖說明
圖1為一實施例的有機電致發光器件的結構示意圖;
圖2為一實施例的有機電致發光的制備方法的流程圖。
具體實施方式
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





