[發(fā)明專利]有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210247435.7 | 申請日: | 2012-07-17 |
| 公開(公告)號: | CN103545456A | 公開(公告)日: | 2014-01-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 周明杰;王平;鐘鐵濤;陳吉星 | 申請(專利權(quán))人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/54 |
| 代理公司: | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人: | 何平;生啟 |
| 地址: | 518100 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有機(jī) 電致發(fā)光 器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件,包括依次層疊的導(dǎo)電基底、發(fā)光層及陰極,其特征在于:所述有機(jī)電致發(fā)光器件還包括依次層疊于所述陰極上的保護(hù)層及阻擋層,所述保護(hù)層的材料為酞菁銅、N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-聯(lián)苯-4-4′-二胺、8-羥基喹啉鋁、氧化硅、氟化鎂或硫化鋅,所述阻擋層包括依次層疊的第一氟化物膜、第二氟化物膜及有機(jī)阻擋膜,所述第一氟化物膜的材料為AlF3:H、HfF4:H、ZrF4:H、LiF:H、CeF2:H或YF3:H,所述第二氟化物膜的材料為AlF3、HfF4、ZrF4、LiF、CeF2或YF,所述有機(jī)阻擋膜的材料為聚四氟乙烯、甲基丙烯酸酯樹脂或脂肪族環(huán)氧樹脂;
所述有機(jī)電致發(fā)光器件還包括封裝蓋,所述封裝蓋將所述發(fā)光層、陰極、保護(hù)層及阻擋層封裝于所述導(dǎo)電基底上,所述封裝蓋的材料為PET鍍鋁膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于:所述第一氟化物膜采用反應(yīng)濺射制備,所述第二氟化物膜采用非反應(yīng)濺射制備。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于:所述阻擋層為3個(gè)~5個(gè),多個(gè)所述阻擋層依次層疊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于:所述封裝蓋與所述導(dǎo)電基底配合形成有收容腔,所述發(fā)光層、陰極、保護(hù)層及阻擋層均收容于所述收容腔。
5.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
在導(dǎo)電基底上形成發(fā)光層;
在所述發(fā)光層上形成陰極;
在所述陰極上形成保護(hù)層,所述保護(hù)層的材料為酞菁銅、N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-聯(lián)苯-4-4′-二胺、8-羥基喹啉鋁、氧化硅、氟化鎂或硫化鋅;
在所述保護(hù)層上形成阻擋層,所述阻擋層包括依次層疊的第一氟化物膜、第二氟化物膜及有機(jī)阻擋膜,所述第一氟化物膜的材料為AlF3:H、HfF4:H、ZrF4:H、LiF:H、CeF2:H或YF3:H,所述第二氟化物膜的材料為AlF3、HfF4、ZrF4、LiF、CeF2或YF,所述有機(jī)阻擋膜的材料為聚四氟乙烯、甲基丙烯酸酯樹脂或脂肪族環(huán)氧樹脂;及
使用封裝蓋將所述發(fā)光層、陰極、保護(hù)層及阻擋層封裝于所述導(dǎo)電基底上,所述封裝蓋的材料為PET鍍鋁膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法,其特征在于:通過涂布封裝膠使所述封裝蓋與所述導(dǎo)電基底密封連接以將所述發(fā)光層、陰極、保護(hù)層及阻擋層封裝于所述導(dǎo)電基底上。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法,其特征在于:所述阻擋層為3個(gè)~5個(gè),多個(gè)所述阻擋層依次層疊。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法,其特征在于:所述第一氟化物膜采用反應(yīng)濺射制備,本底真空度為1×10-3Pa~1×10-4Pa,靶材為Al、Hf、Zr、Li、Ce或Y,通入氣體為由三氟甲烷和氬氣混合形成的混合氣體,其中混合氣體中三氟甲烷的體積百分含量為3%~17%。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法,其特征在于:所述第二氟化物膜采用非反應(yīng)濺射制備,本底真空度為1×10-3Pa~1×10-4Pa,靶材為AlF3、HfF4、ZrF4、LiF、CeF2或YF,通入氣體為氬氣。
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
- 應(yīng)用有機(jī)材料制作有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)發(fā)光材料及有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)半導(dǎo)體組合物以及有機(jī)薄膜和具有該有機(jī)薄膜的有機(jī)薄膜元件
- 有機(jī)材料和包括該有機(jī)材料的有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)發(fā)光元件、有機(jī)發(fā)光裝置、有機(jī)顯示面板、有機(jī)顯示裝置以及有機(jī)發(fā)光元件的制造方法
- 有序的有機(jī)-有機(jī)多層生長
- 有機(jī)半導(dǎo)體材料和有機(jī)部件
- 有機(jī)水稻使用的有機(jī)肥
- 有機(jī)垃圾生物分解的有機(jī)菌肥
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