[發明專利]非易失性存儲裝置及其寫入控制方法

在審

• 申請號: 201210246599.8
• 申請日: 2012-07-17
• 公開（公告）號: CN103065682A
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發明（設計）人: 金珪圣
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C16/06
• 分類號: G11C16/06;G11C16/02
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 石卓瓊;俞波

1.一種非易失性存儲裝置，包括：

存儲器單元陣列；以及

寫入操作控制器，所述寫入操作控制器被配置成通過比較所述寫入操作控制器的輸入數據與寫入所述存儲器單元陣列的單元數據來驗證寫入操作，在預設時間經過之后測量電阻值，以及根據測量的電阻值來判斷是否再次執行所述寫入操作。

2.如權利要求1所述的非易失性存儲裝置，其中，所述寫入操作控制器被配置成比較所述測量的電阻值與計算的參考電阻值，并根據比較結果來判斷是否執行所述寫入操作。

3.如權利要求2所述的非易失性存儲裝置，其中，通過使用初始電阻值、在測量所述初始電阻值時的初始時間、預設測量時間以及相變材料的常量來計算所述計算的參考電阻值。

4.如權利要求3所述的非易失性存儲裝置，其中，所述初始電阻值包括在所述寫入操作驗證之后測量的電阻值。

5.如權利要求3所述的非易失性存儲裝置，其中，在所述計算的參考電阻值比所述測量的電阻值大時，所述寫入操作控制器被配置成終止所述寫入操作。

6.如權利要求3所述的非易失性存儲裝置，其中，在所述計算的參考電阻值比所述測量的電阻值小時，所述寫入操作控制器被配置成再次執行所述寫入操作。

7.如權利要求1所述的非易失性存儲裝置，其中，所述寫入操作控制器測量相變隨機存取存儲器單元的電阻值。

8.一種非易失性存儲裝置，包括：

存儲器單元陣列；

寫入操作驗證讀取器，所述寫入操作驗證讀取器被配置成驗證提供給所述寫入操作控制器的輸入數據是否等于寫入所述存儲器單元陣列中的單元數據；以及

寫入操作控制器，所述寫入操作控制器被配置成通過比較由所述寫入操作驗證讀取器讀取的數據與所述輸入數據來驗證寫入操作，計算與第一時間相對應的第一參考電阻值，比較所述第一參考電阻值與第一測量的電阻值，以及根據所述第一測量的電阻值來判斷是否再次執行所述寫入操作。

9.如權利要求8所述的非易失性存儲裝置，其中，通過使用初始電阻值、在測量所述初始電阻值時的初始時間、第一測量時間以及相變材料的常量來計算所述第一參考電阻值。

10.如權利要求9所述的非易失性存儲裝置，其中，所述初始電阻值包括在所述寫入操作驗證之后測量的電阻值。

11.如權利要求9所述的非易失性存儲裝置，其中，當所述第一參考電阻值比所述第一測量的電阻值大時，所述寫入操作控制器被配置成終止所述寫入操作。

12.如權利要求9所述的非易失性存儲裝置，其中，當所述第一參考電阻值比所述第一測量的電阻值小時，所述寫入操作控制器被配置成執行基于第二參考電阻值的第二比較。

13.如權利要求1所述的非易失性存儲裝置，其中，所述寫入操作控制器測量相變隨機存取存儲器單元的電阻值。

14.如權利要12所述的非易失性存儲裝置，其中，在執行所述第二比較時，所述寫入操作控制器被配置成計算與第二時間相對應的所述第二參考電阻值，比較所述第二參考電阻值與第二測量的電阻值，以及根據所述第二測量的電阻值來判斷是否再次執行所述寫入操作。

15.一種非易失性存儲裝置的寫入控制方法，包括以下步驟：

在將數據輸入所述非易失性存儲裝置時，將數據寫入到存儲器單元陣列中；

判斷所述寫入操作是否正常執行；

在所述寫入操作正常執行時，對第一時間計數并計算與所述第一時間相對應的第一參考電阻值；以及

當所述計數達到所述第一時間時，比較所述第一參考電阻值與在所述第一時間處測量的第一測量的電阻值，并判斷是否再次執行所述寫入操作。

16.如權利要求15所述的寫入控制方法，其中，在判斷所述寫入操作是否正常執行的步驟中：

在輸入到所述非易失性存儲裝置的數據與通過讀取寫入到所述存儲器單元陣列中的數據所獲得的數據相等時，所述非易失性存儲裝置確定所述寫入操作正常執行。

17.如權利要求16所述寫入控制方法，其中，在計算與所述第一時間相對應的所述第一參考電阻值的步驟中：

使用初始電阻值、在測量所述初始電阻值時的初始時間、第一測量時間以及相變材料的常量來計算所述電阻值。