[發明專利]制造半導體器件的方法

在審

• 申請號: 201210241697.2
• 申請日: 2006-06-30
• 公開（公告）號: CN102820263A
• 公開（公告）日: 2012-12-12
• 發明（設計）人: 大力浩二;楠本直人;鶴目卓也
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 林毅斌;龐立志

1.?一種制造半導體器件的方法，其包括以下步驟：

通過在氮氣氛中使用微波而對玻璃基片進行等離子處理；

在進行所述等離子處理后，在所述玻璃基片上形成元件組；和

在形成所述元件組后，薄化所述玻璃基片。

2.?一種制造半導體器件的方法，其包括以下步驟：

通過在氮氣氛中使用微波而對玻璃基片進行等離子處理；

在進行所述等離子處理后，在所述玻璃基片上形成元件組；

薄化所述玻璃基片從而形成薄化的玻璃基片；和

用撓性薄膜進行密封，以便覆蓋所述薄化的玻璃基片和元件組。

3.?一種制造半導體器件的方法，其包括以下步驟：

通過在氮氣氛中使用微波而對基片進行等離子處理；

在進行所述等離子處理后，在所述基片上形成元件組；

薄化所述基片從而形成薄化的基片；和

對所述薄化的基片進行化學處理而除去所述薄化的基片。

4.?一種制造半導體器件的方法，其包括以下步驟：

通過在氮氣氛中使用微波而對基片進行等離子處理；

在進行所述等離子處理后，在所述基片上形成元件組；

薄化所述基片從而形成薄化的基片；

對所述薄化的基片進行化學處理而除去所述薄化的基片；和

用撓性薄膜進行密封，以便覆蓋所述元件組。

5.?根據權利要求1-4中任一項的制造半導體器件的方法，其中通過進行研磨處理和拋光處理中的任一種或兩者而薄化所述基片。

6.?一種制造半導體器件的方法，其包括以下步驟：

通過在氮氣氛中使用微波而對玻璃基片進行等離子處理；

在進行所述等離子處理后，在所述玻璃基片上形成元件組；和

除去所述玻璃基片。

7.?根據權利要求6的制造半導體器件的方法，其中通過進行至少化學處理而除去所述玻璃基片。

8.?根據權利要求6的制造半導體器件的方法，其中用撓性薄膜進行密封，以便覆蓋所述的元件組。

9.?根據權利要求1-4和6中任一項的制造半導體器件的方法，其中氮氣氛是包含氮氣和惰性氣體的氣氛、包含NH₃和惰性氣體的氣氛、包含NO₂和惰性氣體的氣氛或者包含N₂O和惰性氣體的氣氛。

10.?根據權利要求1-4和6中任一項的制造半導體器件的方法，其中所述等離子處理是在電子密度為1×10¹¹?cm^-3～1×10¹³?cm^-3并且電子溫度為0.5?eV～1.5?eV的條件下進行的。