[發(fā)明專利]使壓水堆堆內(nèi)熔融物滯留在壓力容器中的方法以及用于實(shí)施該方法的設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210240655.7
• 申請日: 2012-07-12
• 公開（公告）號: CN103544999A
• 公開（公告）日: 2014-01-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐紅;周志偉;王軍榮;馬莉;張明
• 申請（專利權(quán)）人: 國核華清（北京）核電技術(shù)研發(fā)中心有限公司;國家核電技術(shù)有限公司
• 主分類號: G21C13/08
• 分類號: G21C13/08
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 黃念;林森

1.一種用于使反應(yīng)堆，特別地壓水堆的堆內(nèi)熔融物滯留在壓力容器中的方法，其特征在于在反應(yīng)堆壓力容器的內(nèi)部金屬表面上設(shè)置環(huán)狀高溫絕熱陶瓷層(3)，其中該環(huán)狀高溫絕熱陶瓷層的上邊緣離該壓力容器的下封頭與筒體結(jié)合處的高度差H為55-65cm，其下邊緣與該壓力容器下封頭球心的連線相對于垂直方向的角度θ大于0°而小于或等于72°。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，特征在于所述環(huán)狀高溫絕熱陶瓷層的上邊緣離該壓力容器的下封頭與筒體結(jié)合處的高度差H為60cm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，特征在于所述陶瓷環(huán)的下邊緣與該壓力容器下封頭球心的連線相對于垂直方向的角度θ為大于20°而小于或等于70°。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，特征在于所述陶瓷環(huán)的下邊緣與該壓力容器下封頭球心的連線相對于垂直方向的角度θ為大于30°而小于或等于65°。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，特征在于所述陶瓷環(huán)的下邊緣與該壓力容器下封頭球心的連線相對于垂直方向的角度θ為大于50°而小于或等于60°。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，特征在于所述環(huán)狀高溫絕熱陶瓷層的厚度為高于0.5cm并小于或等于3cm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，特征在于所述環(huán)狀高溫絕熱陶瓷層的厚度為1cm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，特征在于所述環(huán)狀高溫絕熱陶瓷層的陶瓷材料選自氮化鉭TaN、氮化鋯ZrN或硼化鎢WB₂。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，特征在于所述環(huán)狀高溫絕熱陶瓷層的陶瓷材料選自功能梯度金屬-陶瓷材料。

10.反應(yīng)堆壓力容器，其特征在于在其內(nèi)部金屬表面上設(shè)置了環(huán)狀高溫絕熱陶瓷層，其中該環(huán)狀高溫絕熱陶瓷層的上邊緣離該壓力容器的下封頭與筒體結(jié)合處的高度差H為55-65cm，其下邊緣與該壓力容器下封頭球心的連線相對于垂直方向的角度θ大于0o而小于或等于72o。