[發明專利]浮柵晶體管的制造方法

有效

• 申請號: 201210238206.9
• 申請日: 2012-07-10
• 公開（公告）號: CN103545203A
• 公開（公告）日: 2014-01-29
• 發明（設計）人: 何其旸
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種浮柵晶體管的制造方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

在所述襯底上依次形成柵氧化層和犧牲層；

對所述犧牲層進行圖形化處理，去除與柵極區域對應的犧牲層；

在剩余的犧牲層和柵氧化層上形成納米硅量子點晶粒陣列；

在所述納米硅量子點晶粒陣列、犧牲層和柵氧化層上形成介質層；

去除所述犧牲層上的介質層，且去除柵氧化層上對應的部分介質層；

在所述納米硅量子點晶粒陣列上、所述犧牲層上和所述介質層上形成控制柵層；

進行平坦化處理，去除犧牲層上的納米硅量子點晶粒陣列，且使控制柵層的上表面和犧牲層的上表面齊平；

去除剩余的犧牲層。

2.如權利要求1所述的浮柵晶體管的制造方法，其特征在于，所述犧牲層和所述介質層的材質不同。

3.如權利要求2所述的浮柵晶體管的制造方法，其特征在于，所述犧牲層的材質包括：氮化硅、二氧化硅和無定形碳中的一種或多種。

4.如權利要求1或3所述的浮柵晶體管的制造方法，其特征在于，形成的所述犧牲層的厚度范圍包括：

5.如權利要求2所述的浮柵晶體管的制造方法，其特征在于，所述介質層的材質包括：氮化硅和二氧化硅中的一種或多種。

6.如權利要求1或5所述的浮柵晶體管的制造方法，其特征在于，形成的所述介質層的厚度范圍包括：所述柵氧化層上剩余的所述介質層的厚度范圍包括：

7.如權利要求1所述的浮柵晶體管的制造方法，其特征在于，所述介質層采用干法刻蝕工藝或濕法刻蝕工藝去除。

8.如權利要求1所述的浮柵晶體管的制造方法，其特征在于，所述納米硅量子點晶粒陣列采用低壓化學氣相沉積工藝或者爐管納米晶生長方法形成。

9.如權利要求1所述的浮柵晶體管的制造方法，其特征在于，所述納米硅量子點晶粒陣列中納米硅量子點晶粒的直徑范圍包括：5nm～20nm。

10.如權利要求1所述的浮柵晶體管的制造方法，其特征在于，所述平坦化處理采用干法刻蝕工藝、濕法刻蝕工藝和化學機械研磨工藝中的一種或多種。

11.如權利要求1所述的浮柵晶體管的制造方法，其特征在于，所述柵氧化層的材質包括二氧化硅。

12.如權利要求1或11所述的浮柵晶體管的制造方法，其特征在于，所述柵氧化層的厚度范圍包括：

13.如權利要求1所述的浮柵晶體管的制造方法，其特征在于，所述控制柵層的材質包括多晶硅或金屬。

14.如權利要求1或13所述的浮柵晶體管的制造方法，其特征在于，剩余的所述控制柵層的厚度范圍包括：

15.如權利要求1所述的浮柵晶體管的制造方法，其特征在于，在去除剩余的犧牲層之后，還包括：對所述柵氧化層進行圖形化處理，僅保留與柵極區域對應的柵氧化層。

16.如權利要求15所述的浮柵晶體管的制造方法，其特征在于，在對所述柵氧化層進行圖形化處理之后，還包括：在所述柵氧化層、介質層和控制柵層側面的襯底上形成側墻；以所述側墻和控制柵層為掩模，進行離子注入，在襯底中形成源/漏區。