[發(fā)明專利]一種基于相變材料的可調(diào)諧超材料吸收器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210238032.6 | 申請(qǐng)日： | 2012-07-10 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN102707537A | 公開（公告）日： | 2012-10-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 曹暾 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 大連理工大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | G02F1/17 | 分類號(hào)： | G02F1/17 |
| 代理公司： | 大連理工大學(xué)專利中心 21200 | 代理人： | 李寶元;梅洪玉 |
| 地址： | 116024*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 基于 相變 材料 調(diào)諧 吸收 | ||
1.一種基于相變材料的可調(diào)諧超材料吸收器，其特征在于，該吸收器基于多層結(jié)構(gòu)，其頂部金屬層具有周期性結(jié)構(gòu)的孔陣列；所述的多層結(jié)構(gòu)是通過在玻璃襯底上生長金屬層、相變材料層、金屬層和氧化層而成，金屬層的寬度在1微米至2厘米、高度在20納米至10微米，相變材料層寬度在1微米至2厘米、高度在20納米至10微米；氧化層寬度在1微米至2厘米、高度在1納米至1微米；所述的周期性孔矩陣孔是三角形、方形、圓形、橢圓形、弧形、十字形、六邊形；孔的寬度在20納米至1微米、高度在60納米至30微米。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可調(diào)諧超材料吸收器，其特征在于，金屬層Al、Ag、Au、Cu、Ni。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可調(diào)諧超材料吸收器，其特征在于，相變材料層包括GeTe，Ge2Sb2Te5，Ge1Sb2Te4，?Ge2Sb2Te4，Ge3Sb4Te8，Ge15Sb85，Ag5In6Sb59Te30。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可調(diào)諧超材料吸收器，其特征在于，氧化層是In2O3、SnO2、ITO。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可調(diào)諧超材料吸收器，其特征在于，多層結(jié)構(gòu)可以通過材料生長工藝實(shí)現(xiàn)，包括電子束蒸發(fā)、金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉淀、氣相外延生長、分子束外延。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可調(diào)諧超材料吸收器，其特征在于，周期性孔矩陣通過干法或者濕法刻蝕工藝實(shí)現(xiàn)，包括電子束曝光、聚焦離子束曝光、反應(yīng)離子束刻蝕。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于大連理工大學(xué)，未經(jīng)大連理工大學(xué)許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210238032.6/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
G02F 用于控制光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置，例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào)，上述器件或裝置的光學(xué)操作是通過改變器件或裝置的介質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)來修改的；用于上述操作的技術(shù)或工藝；變頻；非線性光學(xué)；光學(xué)
G02F1-00 控制來自獨(dú)立光源的光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置，例如，轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制；非線性光學(xué)
G02F1-01 .對(duì)強(qiáng)度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制，即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的
