[發(fā)明專利]一種多晶硅生產(chǎn)工藝及用于該工藝的生產(chǎn)系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210236855.5 | 申請日： | 2012-07-10 |
| 公開（公告）號： | CN102745694A | 公開（公告）日： | 2012-10-24 |
| 發(fā)明（設計）人： | 齊林喜;郭金強;郝愛科;張文奎;朱濤;邢仕益 | 申請（專利權）人： | 內(nèi)蒙古盾安光伏科技有限公司 |
| 主分類號： | C01B33/035 | 分類號： | C01B33/035 |
| 代理公司： | 北京馳納智財知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 11367 | 代理人： | 謝亮;趙德蘭 |
| 地址： | 015543 內(nèi)蒙古自*** | 國省代碼： | 內(nèi)蒙古;15 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 多晶 生產(chǎn)工藝 用于 工藝 生產(chǎn) 系統(tǒng) | ||
1.一種多晶硅生產(chǎn)工藝，包括將精三氯氫硅與氫氣按比例混合作為混合氣進料通入CVD還原爐，其特征在于：包括如下步驟，
混合氣進料依次通過鼓泡式汽化器、出入器換熱器、串聯(lián)的CVD還原爐主爐和CVD還原爐輔爐；
經(jīng)過CVD還原爐輔爐排出的終極尾氣換熱后進入CVD還原爐主爐，在CVD還原爐主爐內(nèi)硅芯表面發(fā)生反應生成多晶硅，其副產(chǎn)物為中間尾氣；
中間尾氣再混合補充的精三氯氫硅氣體后接著進入CVD還原爐輔爐，在CVD還原爐輔爐內(nèi)的硅芯表面發(fā)生反應生成多晶硅，其副產(chǎn)物為終極尾氣；
終極尾氣出爐后與混合氣進料換熱后再進入還原尾氣回收系統(tǒng)。
2.如權利要求1所述的多晶硅生產(chǎn)工藝，其特征在于：進入CVD還原爐主爐的氫氣與精三氯氫硅摩爾比為4~3：1。
3.如權利要求2所述的多晶硅生產(chǎn)工藝，其特征在于：進入CVD還原爐主爐的氫氣與精三氯氫硅摩爾比為3：1。
4.如權利要求3所述的多晶硅生產(chǎn)工藝，其特征在于：CVD還原爐主爐的混合氣進氣量從175m3/h逐漸提高至2300m3/h，CVD還原爐主爐混合氣進氣溫度為初始溫度51℃,逐步增加至313℃。
5.如權利要求2所述的多晶硅生產(chǎn)工藝，其特征在于：進入CVD還原爐主爐的氫氣與精三氯氫硅摩爾比為3.5：1。
6.如權利要求5所述的多晶硅生產(chǎn)工藝，其特征在于：CVD還原爐主爐的混合氣進氣量從197m3/h逐漸提高至2587.5m3/h，CVD還原爐主爐混合氣進氣溫度為初始溫度53℃,逐步增加至331℃。
7.如權利要求2所述的多晶硅生產(chǎn)工藝，其特征在于：進入CVD還原爐主爐的氫氣與精三氯氫硅摩爾比為4:1。
8.如權利要求7所述的多晶硅生產(chǎn)工藝，其特征在于：CVD還原爐主爐的混合氣進氣量從219m3/h逐漸提高至2875m3/h，CVD還原爐主爐混合氣進氣溫度為初始溫度54℃,逐步增加至343℃。
9.如權利要求1所述的多晶硅生產(chǎn)工藝，其特征在于：CVD還原爐主爐內(nèi)的硅芯表面溫度控制在1100~1200℃。
10.如權利要求1所述的多晶硅生產(chǎn)工藝，其特征在于：?CVD還原爐輔爐內(nèi)的硅芯表面溫度控制在1000~1100℃。
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