[發(fā)明專利]包括具有突出體的接觸片的半導(dǎo)體器件及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210236310.4 | 申請(qǐng)日： | 2012-07-06 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN102867804A | 公開（公告）日： | 2013-01-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 拉爾夫·奧特倫巴 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 英飛凌科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/495 | 分類號(hào)： | H01L23/495;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240 | 代理人： | 余剛;吳孟秋 |
| 地址： | 德國瑙伊*** | 國省代碼： | 德國;DE |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 包括 具有 突出 接觸 半導(dǎo)體器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體器件，包括：
引線框，包括晶片焊墊和第一引線；
半導(dǎo)體芯片，包括第一電極，所述半導(dǎo)體芯片置于所述晶片焊墊之上；以及
接觸片，包括第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)，所述第一接觸區(qū)置于所述第一引線之上，所述第二接觸區(qū)置于所述半導(dǎo)體芯片的所述第一電極之上，其中，多個(gè)突出體從各所述第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)延伸，并且每個(gè)所述突出體具有至少5μm的高度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體芯片是功率半導(dǎo)體芯片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一電極設(shè)置在所述半導(dǎo)體芯片的第一表面上，并且所述半導(dǎo)體芯片還包括設(shè)置在所述半導(dǎo)體芯片的第二表面上的第二電極，所述第一表面與所述第二表面相對(duì)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體芯片以所述第二表面面向所述晶片焊墊而置于所述晶片焊墊之上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述引線框還包括電耦接至所述晶片焊墊的第二引線。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，各所述第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)具有梳狀形狀。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括：在所述接觸片的所述第一接觸區(qū)與所述第一引線之間的第一焊接材料層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中，部分所述第一焊接材料層是設(shè)置在所述接觸片的所述突出體與所述第一引線之間的金屬間相。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述金屬間相具有高于所述焊接材料的剩余部分的熔化溫度。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中，焊接材料設(shè)置在兩個(gè)相鄰的金屬間相之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括：在所述接觸片的所述第二接觸區(qū)與所述半導(dǎo)體芯片的所述第一電極之間的第二焊接材料層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其中，部分所述第二焊接材料層是設(shè)置在所述接觸片的所述突出體與所述半導(dǎo)體芯片的所述第一電極之間的金屬間相，并且其中，所述金屬間相具有高于所述焊接材料的剩余部分的熔化溫度。
13.一種半導(dǎo)體器件，包括：
引線框，包括晶片焊墊和第一引線；
功率半導(dǎo)體芯片，包括第一表面上的第一電極以及在與所述第一表面相對(duì)的第二表面上的第二電極，所述功率半導(dǎo)體芯片以所述第二表面面向所述晶片焊墊而置于所述晶片焊墊之上；
接觸片，包括第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)，所述第一接觸區(qū)置于所述第一引線之上，所述第二接觸區(qū)置于所述功率半導(dǎo)體芯片的所述第一電極之上，其中多個(gè)突出體從各所述第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)延伸，并且每個(gè)所述突出體具有至少5μm的高度；
第一擴(kuò)散焊接連接部，設(shè)置在所述接觸片的所述第一接觸區(qū)與所述第一引線之間；以及
第二擴(kuò)散焊接連接部，設(shè)置在所述接觸片的所述第二接觸區(qū)與所述功率半導(dǎo)體芯片的所述第一電極之間。
14.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，所述方法包括：
提供包括晶片焊墊和第一引線的引線框、包括第一電極的半導(dǎo)體芯片、以及包括第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)的接觸片，其中，多個(gè)突出體從各所述第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)延伸，并且每個(gè)所述突出體具有至少5μm的高度；
將所述半導(dǎo)體芯片附接至所述晶片焊墊；以及
利用擴(kuò)散焊接工藝將所述第一接觸區(qū)附接至所述第一引線以及將所述第二接觸區(qū)附接至所述半導(dǎo)體芯片的所述第一電極。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，通過使用擴(kuò)散焊接工藝執(zhí)行將所述半導(dǎo)體芯片附接至所述晶片焊墊。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，將所述第一接觸區(qū)附接至所述第一引線以及將所述第二接觸區(qū)附接至所述半導(dǎo)體芯片的所述第一電極包括：將所述引線框置于烤爐中不超過60秒。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，還包括：在將所述半導(dǎo)體芯片附接至所述晶片焊墊之后并且將所述第一接觸區(qū)附接至所述第一引線之前以及將所述第二接觸區(qū)附接至所述半導(dǎo)體芯片的所述第一電極之前，在所述第一引線上沉積第一焊接材料層以及在所述半導(dǎo)體芯片的所述第一電極上沉積第二焊接材料層。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于英飛凌科技股份有限公司，未經(jīng)英飛凌科技股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210236310.4/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：上水軟管組合扳手
- 下一篇：一種液壓式鋼管擴(kuò)徑機(jī)
