[發明專利]太赫茲的磷化銦耿氏管制備方法

無效

• 申請號: 201210233982.X
• 申請日: 2012-07-06
• 公開（公告）號: CN102751385A
• 公開（公告）日: 2012-10-24
• 發明（設計）人: 賈銳;白陽;金智;劉新宇
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 北京市德權律師事務所 11302
• 代理人: 劉麗君

1.一種太赫茲的磷化銦耿氏管制備方法，其特征在于，包括：

在高摻硫的磷化銦襯底上生長磷化銦外延層；

將所述生長磷化銦外延層后的襯底進行光刻定形、蒸發金屬電極后形成陰極；

在所述形成陰極后的襯底上，利用濕法腐蝕或反應耦合等離子體刻蝕臺面；

將所述腐蝕或刻蝕臺面后的襯底進行光刻定形、蒸發金屬電極后形成陽極；

將所述形成陽極后的襯底進行正面保護，背面減薄后電鍍金獲得成品。

2.如權利要求1所述的太赫茲的磷化銦耿氏管制備方法，其特征在于，所述在高摻硫的磷化銦襯底上生長磷化銦外延層包括：

利用分子束外延技術或金屬有機化合物化學氣相沉淀技術在高摻硫的磷化銦襯底上生長摻雜的N型磷化銦作為緩沖層，厚度為1.2~1.8μm，濃度為1~1.5*10E18cm^-3；

利用分子束外延技術或金屬有機化合物化學氣相沉淀技術在所述緩沖層上面生長低摻雜的N型磷化銦作為作用層，厚度為1.5~2μm，濃度為0.75~1.1*10E16cm^-3。

3.如權利要求1所述的太赫茲的磷化銦耿氏管制備方法，其特征在于，所述將所述生長磷化銦外延層后的襯底進行光刻定形、蒸發金屬電極后形成陰極包括：

將所述生長磷化銦外延層后的襯底利用圓形光刻板，在外層光刻，形成圓形凹槽，然后蒸發Ge/Au/Ni/Au金屬電極，用于制備形成陰極所需的金屬層；

將所述蒸發Ge/Au/Ni/Au金屬電極后的襯底上的光刻膠剝離后進行退火，形成陰極。

4.如權利要求3所述的太赫茲的磷化銦耿氏管制備方法，其特征在于:

所述光刻膠通過丙酮剝離，所述退火溫度為350℃-450℃。

5.如權利要求1所述的太赫茲的磷化銦耿氏管制備方法，其特征在于:

所述利用濕法腐蝕或反應耦合等離子體刻蝕的臺面呈圓柱形，直徑為40-70μm。

6.如權利要求5所述的太赫茲的磷化銦耿氏管制備方法，其特征在于:

所述利用濕法腐蝕時采用氯基溶液進行腐蝕，所述氯基溶液是HCl和H₃PO₄的混合溶液。

7.如權利要求1所述的太赫茲的磷化銦耿氏管制備方法，其特征在于，所述將所述腐蝕或刻蝕臺面后的襯底進行光刻定形、蒸發金屬電極后形成陽極包括：

將所述腐蝕或刻蝕臺面后的襯底光刻形成圓環形凹槽，蒸發Ge/Au/Ni/Au金屬電極，用于制備形成陽極所需的金屬層；

將所述蒸發Ge/Au/Ni/Au金屬電極后的襯底上的光刻膠剝離后進行退火，形成陽極。

8.如權利要求7所述的太赫茲的磷化銦耿氏管制備方法，其特征在于:

所述圓環形凹槽在所述臺面外圍；

所述光刻膠通過丙酮剝離，所述退火溫度為350℃-450℃。

9.如權利要求3、4、7或8任一項所述的太赫茲的磷化銦耿氏管制備方法，其特征在于:

所述生成陽極時的退火溫度低于所述生成陰極時的退火溫度30℃以上。

10.如權利要求1所述的太赫茲的磷化銦耿氏管制備方法，其特征在于，將所述形成陽極后的襯底進行正面保護，背面減薄后電鍍金獲得成品包括：

將所述形成陽極后的襯底的正面氈片，并用光刻膠進行正面保護；

將所述氈片后的襯底背面減薄、去蠟至3~10μm厚，然后電鍍金處理獲得成品。