[發明專利]半導體器件、半導體器件制造方法及電子裝置

有效

• 申請號: 201210233277.X
• 申請日: 2012-07-05
• 公開（公告）號: CN102867847A
• 公開（公告）日: 2013-01-09
• 發明（設計）人: 香川恵永;青柳健一;萩本賢哉;藤井宣年
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L29/40
• 分類號: H01L29/40;H01L23/522;H01L21/28;H01L21/768;H01L27/146
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 陳桂香;武玉琴

1.一種半導體器件，其包括第一基板和第二基板，

所述第一基板包括：第一電極；以及第一絕緣膜，所述第一絕緣膜由針對所述第一電極的防擴散材料構成并覆蓋所述第一電極的周邊，

所述第一電極與所述第一絕緣膜互相配合而構成結合表面，

所述第二基板結合至所述第一基板并設置于所述第一基板上，且所述第二基板包括：第二電極，所述第二電極接合至所述第一電極；以及第二絕緣膜，所述第二絕緣膜由針對所述第二電極的防擴散材料構成并覆蓋所述第二電極的周邊，

并且，所述第二電極與所述第二絕緣膜互相配合而構成與所述第一基板相結合的結合表面。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一電極及所述第二電極中的每一者均由單個材料層構成。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一基板的所述結合表面及所述第二基板的所述結合表面中的每一者均被構造成平坦化表面。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

所述第一電極被埋入至形成于所述第一絕緣膜上的溝槽圖案中，

并且，所述第二電極被埋入至形成于所述第二絕緣膜上的溝槽圖案中。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

所述第一基板的所述結合表面僅由所述第一電極及所述第一絕緣膜構成，

并且，所述第二基板的所述結合表面僅由所述第二電極及所述第二絕緣膜構成。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

所述第一絕緣膜由針對所述第二電極及所述第一電極的構成材料的防擴散材料構成，

并且，所述第二絕緣膜由針對所述第一電極及所述第二電極的構成材料的防擴散材料構成。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一電極及所述第二電極由相同的材料構成。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一絕緣膜及所述第二絕緣膜由相同材料構成。

9.一種半導體器件制造方法，其包括如下步驟：

在兩個基板中的每一者上均形成由針對電極材料的防擴散材料構成的絕緣膜，并在所述絕緣膜上形成溝槽圖案；

在所述兩個基板中的每一者上的所述絕緣膜上形成電極膜，所述電極膜以如下狀態由所述電極材料構成：所述電極膜填滿形成于所述絕緣膜上的所述溝槽圖案；

研磨所述兩個基板中的每一者上的所述電極膜，直至所述絕緣膜露出，由此以所述電極膜埋入至所述溝槽圖案中的方式形成了電極的圖案；以及

使每一者上均形成有所述電極的所述兩個基板結合起來，且處于讓所述兩個基板上的所述電極接合于一起的狀態。

10.根據權利要求9所述的半導體器件制造方法，其特征在于，當形成所述電極的所述圖案時，執行化學機械研磨處理，在此研磨處理中使用所述絕緣膜作為停止層。

11.根據權利要求9所述的半導體器件制造方法，其特征在于，當形成所述電極的所述圖案時，從通過對所述電極膜的所述研磨處理使所述絕緣膜在周圍露出的所述電極膜部分開始，依序執行會自動停止所述研磨處理的化學機械研磨處理。

12.一種半導體器件，其包括：

第一基板，所述第一基板具有結合表面，第一電極及第一絕緣膜從所述第一基板的所述結合表面露出；

絕緣薄膜，所述絕緣薄膜被構造成覆蓋所述第一基板的所述結合表面；以及

第二基板，所述第二基板具有結合表面，第二電極及第二絕緣膜從所述第二基板的所述結合表面露出，并且所述第二基板以如下狀態結合至所述第一基板：所述絕緣薄膜夾置于所述第二基板的所述結合表面與所述第一基板的所述結合表面之間，且所述第一電極與所述第二電極夾著所述絕緣薄膜而被相互電連接。

13.根據權利要求12所述的半導體器件，其特征在于，所述絕緣薄膜為氧化物膜。

14.根據權利要求12所述的半導體器件，其特征在于，所述絕緣薄膜為氮化物膜。

15.根據權利要求12所述的半導體器件，其特征在于，所述絕緣薄膜具有層疊結構。