[發明專利]在半導體襯底中形成接地硅通孔

有效

• 申請號: 201210232986.6
• 申請日: 2012-07-05
• 公開（公告）號: CN102867777A
• 公開（公告）日: 2013-01-09
• 發明（設計）人: 謝棋君;吳偉誠;顏孝璁;胡憲斌;侯上勇;鄭心圃
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種形成半導體器件的方法，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底具有第一面和與所述第一面相對的第二面；

形成硅通孔TSV開口，所述硅通孔開口從所述半導體襯底的所述第一面延伸到所述半導體襯底中；

在所述半導體襯底的所述第一面上并沿著所述TSV開口的側壁和底部形成襯墊層；

在位于所述開口中的所述襯墊層上方沉積第一導電材料層，從而形成TSV；

在所述半導體襯底的所述第一面的上方形成層間介電ILD層；

形成通孔開口，所述通孔開口從所述ILD層延伸到所述半導體襯底的一部分中；

在所述ILD層中形成溝道開口，從而暴露所述TSV的一部分；以及

在所述通孔和所述溝道開口中沉積第二導電材料層，從而形成互連結構，所述互連結構將所述TSV與所述半導體襯底電連接。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，形成半導體器件包括形成中介層。

3.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：在形成所述TSV的步驟以后，平整化所述半導體襯底的所述第一面。

4.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：在所述襯墊層和所述TSV之間形成第一阻擋層。

5.根據權利要求4所述的方法，進一步包括：在所述第一阻擋層和所述TSV之間形成第一種子層。

6.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：在所述半導體襯底的所述第一面的上方形成所述ILD層的步驟以前，形成蝕刻停止層。

7.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：在所述通孔和所述溝道開口的上方形成第二阻擋層。

8.根據權利要求7所述的方法，進一步包括：在所述第二阻擋層的上方形成第二種子層。

9.根據權利要求1所述的方法，其中，通過電化學電鍍形成所述互連結構。

10.根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述TSV和所述互連結構包括：形成由銅或銅合金所制成的結構。