[發明專利]在浮柵上形成穩定的殘余氧化物的方法有效
| 申請號： | 201210231297.3 | 申請日： | 2012-07-05 |
| 公開（公告）號： | CN103531456A | 公開（公告）日： | 2014-01-22 |
| 發明（設計）人： | 曹子貴;寧丹 | 申請（專利權）人： | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海信好專利代理事務所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 張靜潔;徐雯瓊 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 浮柵上 形成 穩定 殘余 氧化物 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種在浮柵上形成穩定的殘余氧化物的方法，該方法包含以下步驟：
步驟1、在浮柵（101）上沉積偏移側墻（102）；
步驟2、對偏移側墻（102）進行干法刻蝕；
步驟3、再對浮柵（101）進行多晶硅二次刻蝕。
2.其特征在于，在步驟2和步驟3之間，增加如下步驟A：
對殘余氧化物進行動態濕法刻蝕，使殘余氧化物達到設定的目標厚度。
3.如權利要求1所述的在浮柵上形成穩定的殘余氧化物的方法，其特征在于，所述的動態濕法刻蝕采用的溶劑為DHF溶液，或者HF溶液，或者HF與去離子水混合溶劑。
4.如權利要求2所述的在浮柵上形成穩定的殘余氧化物的方法，其特征在于，優選的動態濕法刻蝕溶劑采用HF與去離子水混合溶劑。
5.如權利要求2所述的在浮柵上形成穩定的殘余氧化物的方法，其特征在于，所述的DHF溶液為200:1?DHF溶液。
6.如權利要求2所述的在浮柵上形成穩定的殘余氧化物的方法，其特征在于，所述的HF溶液為200:1HF溶液。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
