[發明專利]溝槽形成方法以及半導體器件制造方法有效
| 申請號： | 201210230389.X | 申請日： | 2012-07-04 |
| 公開（公告）號： | CN102738061A | 公開（公告）日： | 2012-10-17 |
| 發明（設計）人： | 沈思杰;劉憲周 | 申請（專利權）人： | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/762 | 分類號： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 溝槽 形成 方法 以及 半導體器件 制造 | ||
1.一種溝槽形成方法，用于在半導體結構中形成溝槽，其中所述半導體結構包括端口區域和單元區域，其特征在于所述溝槽形成方法包括：
氧化層形成步驟，用于在硅片表面形成氧化層；
光刻膠層形成步驟，用于在氧化層表面形成光刻膠層；
圖案形成步驟，其中對光刻膠層進行光刻以形成與溝槽相對應的溝槽圖案部分，然后利用形成圖案的光刻膠層刻蝕氧化層，從而在氧化層中形成與溝槽圖案部分相對應的圖案；
氧化層第一刻蝕步驟，其中首先去除單元區域上的光刻膠層，并利用剩下的光刻膠層對氧化層執行第一次刻蝕；
溝槽刻蝕步驟，用于利用溝槽圖案部分在單元區域中形成溝槽；
光刻膠去除步驟，用于去除剩余的光刻膠層；以及
氧化層第二步驟，用于在去除了光刻膠層的情況下對氧化層執行第二次刻蝕。
2.根據權利要求1所述的溝槽形成方法，其特征在于，氧化層形成步驟先于光刻膠層形成步驟執行，光刻膠層形成步驟先于圖案形成步驟執行，圖案形成步驟先于氧化層第一刻蝕步驟執行，氧化層第一刻蝕步驟先于溝槽刻蝕步驟執行，溝槽刻蝕步驟先于光刻膠去除步驟執行，光刻膠去除步驟先于氧化層第二步驟執行。
3.根據權利要求1或2所述的溝槽形成方法，其特征在于還包括：在氧化層形成步驟之前執行襯墊氧化層形成步驟，用于在襯底表面上布置襯墊氧化層。
4.根據權利要求1或2所述的溝槽形成方法，其特征在于還包括：在半導體結構的端口區域的硅片中形成了保護環注入區域。
5.根據權利要求1或2所述的溝槽形成方法，其特征在于，在圖案形成步驟中，還對光刻膠層進行光刻以在端口區域中形成保護環注入區域圖案部分，并且在端口區域中在氧化層中形成與保護環注入區域圖案部分相對應的圖案。
6.根據權利要求1或2所述的溝槽形成方法，其特征在于，氧化層第二步驟在完全去除了單元區域上的氧化層時停止。
7.一種采用了根據權利要求1至6之一所述的溝槽形成方法的半導體器件制造方法。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
